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CYPRESS的异步SRAM产品包含业界最多样的异步低功耗SRAM产品组合,密度范围从64Kb至64Mb。MoBL SRAM提供业界标准电压、总线宽度及封装选项。 此装置提供领先业界的待机功率消耗(最大)规格。MoBL异步SRAM是各种应用中电池供电解决方案的理想选择。MoBL SRAM装置适用于工业、汽车及辐射硬化温度等级。 |
带有ECC的异步SRAM适用于各种要求最高可靠性和性能标准的工业,医疗,商业,汽车和军事应用。快速SRAM是诸如交换机和路由器,IP电话,测试设备和汽车电子产品之类的网络应用的理想选择。MoBL®SRAM用于PLC,多功能打印机和可植入医疗设备等一系列应用领域的高性能,电池供电和电池供电的解决方案。 |
异步SRAM器件用于可编程逻辑控制器(PLC)设计中,以备份需要通过断电保护的关键工具位置和操作数据。备用电源由电池或超级电容器提供。 |
工业控制器的关键要求是降低功耗和降低软错误率。在工业控制器中,软错误会由于设置信息损坏而导致启动时出现故障,从而导致系统故障。 |
路由器设计在电池后备配置中使用SRAM,以永久存储启动配置。该数据是用户可修改的,对于设备的正常运行至关重要。SRAM还用于永久存储LAN接口的硬件修订版,标识信息和媒体访问控制(MAC)地址。不可恢复的软错误会对网络设备中的流量目标等造成严重破坏。 |
下图所示的示意图中显示了一种常用配置,该图显示了MoBL®SRAM如何在具有Supervisory芯片的电池供电配置中使用。 |
多功能打印机(MFP)是MoBL®SRAM器件的主要应用领域。多种数据永久或临时存储在MFP内存中。硬盘驱动器(HDD)或闪存驱动器存储各种类型的用户信息,而用户工具设置,网络设置和配置数据则存储在专用的MoBL®SRAM中。SRAM还用于作业状态和字体表。数据对于设备的运行至关重要,并通过电池的电源循环进行保护。因此,MFP设计需要具有高可靠性和低错误率的 | SRAM
CYPRESS异步SRAM
Density | Org. | Part number | Speed (ns) | Max. Operating VCCQ (V) | Max. Operating Voltage (V) | Min. Operating VCCQ (V) | Min. Operating Voltage (V) | Package | 8Mb | x8 / x16 | CY62155E-3XWI | -- | 5.5 | 5.5 | 1.65 | 1.65 | Wafer | 8Mb | 1M x 8 | CY7C1059DV33-10ZSXI | 10 | 3.6 | 3.6 | 3 | 3 | TSOP II | 8Mb | 1M x 8 | CY7C1059DV33-10ZSXIT | 10 | 3.6 | 3.6 | 3 | 3 | TSOP II | 8Mb | 512K x 16 | CY7C1051DV33-12ZSXIT | 12 | 3.6 | 3.6 | 3 | 3 | TSOP II | 8Mb | 512K x 16 | CY7C1051DV33-10ZSXIT | 10 | 3.6 | 3.6 | 3 | 3 | TSOP II | 8Mb | 512K x 16 | CY7C1051DV33-12ZSXI | 12 | 3.6 | 3.6 | 3 | 3 | TSOP II | 8Mb | 512K x 16 | CY7C1051DV33-10BAXIT | 10 | 3.6 | 3.6 | 3 | 3 | FBGA | 8Mb | 512K x 16 | CY7C1051DV33-10BAXI | 10 | 3.6 | 3.6 | 3 | 3 | FBGA | 8Mb | 512K x 16 | CY7C1051DV33-10ZSXI | 10 | 3.6 | 3.6 | 3 | 3 | TSOP II |
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