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[供应] PW2324芯片N沟道增强型MOSFET

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一般说明
PW2324采用先进的沟道技术,提供优秀的RDSON)、低栅极充电和栅极电压低至4.5V的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
特征
VDS=100VID=3.7A
RDS(开)<240mΩ@VGS=10V
提供3SOT23-3封装
应用
电池保护
负荷开关
不间断电源
23241.jpg 23242.jpg

绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)
23243.jpg

代理商:深圳市夸克微科技
  郑生: 13528458039  QQ : 2867714804
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