PW2324芯片N沟道增强型MOSFET

显示全部楼层 · 2020-12-26 16:15:30

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一般说明
PW2324采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和栅极电压低至4.5V的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
特征
VDS=100V，ID=3.7A
RDS（开）<240mΩ@VGS=10V
提供3针SOT23-3封装
应用
电池保护
负荷开关
不间断电源