PW3428芯片N沟道增强型MOSFET

显示全部楼层 · 2020-12-30 15:09:37

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一般说明
该PW3428采用先进的沟槽技术，以提供优良的无线电数据系统（开），低栅电荷和电压门极电压低至4.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS ：30V
ID ：28A
RDS（开）：典型15mΩ@VGS=10V
提供8针DFN3*3封装
代理商：深圳市夸克微科技郑生： 13528458039 QQ ： 2867714804

liangqisheng · 2020-12-30 16:00:38

huangweiqiao · 2020-12-31 08:02:50

linyufeng1989 · 2020-12-31 09:10:52

[供应] PW3428芯片N沟道增强型MOSFET

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