代理PW3467芯片N沟道增强型MOSFET

一般说明
PW3467采用先进的沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极充电和低至4.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
特征
l  VDS=30V ID=67A
l  RDS（开）<5.5mΩ@VGS=10V

l  提供8针DFN3*3封装
代理商：深圳市夸克微科技 郑先生 ：13528458039 QQ 2867714804

绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）


   



注意
1、 数据通过表面安装在1英寸2 FR-4板上的2OZ铜进行测试。
2、 测试数据由脉冲，脉冲宽度。EAS数据显示最大额定值。
3、 其功耗受175℃结温的限制
4、 试验条件为V≤300us，占空比DD=25≤V，V 2%GS=10V，L=0.1mH，IAS=53.8A
5、 数据理论上与ID和IDM相同，在实际应用中，应受到总功耗的限制