PW2320芯片N沟道增强型MOSFET

kkw117 · 发表于 2021-1-4 17:12:31

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PW2320采用先进的沟道技术，以提供优良的RDS（ON），低栅电荷和电压门极电压低至2.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他开关应用中。
特征
VDS=20V ID=8A
RDS（开）<12mΩ@VGS=4.5V
SOTA 3针封装
代理商：深圳市夸克微科技郑生： 13528458039 QQ ： 2867714804
图片2.jpg

绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
图片3.png

PW3400A采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅电荷和栅电压低至2.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中。
PW3428采用先进的沟槽技术，以提供优良的无线电数据系统（开），低栅电荷和电压门极电压低至4.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他交换应用中。
PW3467采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷和低功耗门极电压低至4.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他交换应用中。

huangweiqiao · 发表于 2021-1-5 08:06:16

tuzisecond · 发表于 2021-1-5 08:52:00

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[供应] PW2320芯片N沟道增强型MOSFET

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