[供应] 代理PW2319芯片,P沟道增强型MOSFET

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查看802 | 回复1 | 2021-1-8 13:21:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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一般说明
PW2319采用先进的沟道技术,提供优秀的RDSON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
l  VDS=-40VID=-5A
l  RDS(开)<70mΩ@VGS=-10V
l  提供3SOT23-3封装
应用   
l  电池保护
l  负荷开关
l  不间断电源
代理商:深圳市夸克微科技 郑先生 :13528458039 QQ 2867714804

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绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)

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电电气特性

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huangweiqiao | 2021-1-9 08:07:04 | 显示全部楼层
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