代理PW2319芯片，P沟道增强型MOSFET

kua15302678724 · 发表于 2021-1-8 13:21:10

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一般说明

PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。

特征

l VDS=-40V，ID=-5A

l RDS（开）<70mΩ@VGS=-10V

l 提供3针SOT23-3封装

应用

l 电池保护

l 负荷开关

l 不间断电源
代理商：深圳市夸克微科技郑先生：13528458039 QQ 2867714804

请输入描述

绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）

请输入描述

电电气特性

请输入描述

huangweiqiao · 发表于 2021-1-9 08:07:04

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[供应] 代理PW2319芯片，P沟道增强型MOSFET