国产SRAM芯片EMI502NL16VM可替换IS61WV12816EDBLL

英尚微电子 · 发表于 2021-4-23 16:53:26

系列由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。这些系列支持工业温度范围和芯片级封装，以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。此款国产SRAM芯片可替换ISSI IS61WV12816EDBLL。EMI代理支持提供技术支持及样品测试。

特征

●工艺技术：全CMOS

●位宽：128Kx16位

●电源电压：2.3V〜3.6V

●低数据保持电压：1.5V（最小值）

●三态输出和TTL兼容

●标准44TSOP2，48BGA

●工业操作温度

引脚封装

ISSI IS6164WV12816EDBLL是一种高速的2,097,152位静态RAM，以131,072个字乘16位组织。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设备。IS61WV12816EDBLL封装在JEDEC标准的44引脚TSOP-II和48引脚BGA中。

特征

CMOS待机

•单电源

-Vdd2.4V至3.6V（10ns）

-Vdd3.3V±10％（8ns）

•完全静态操作：无需时钟或刷新

•三态输出

•高低字节数据控制

•工业和汽车温度支持

•无铅可用

•错误检测和错误纠正

引脚封装

EMI502NL16VM规格书下载

2Mb(x16).pdf (6.16 MB, 下载次数: 0)

mj8abcd · 发表于 2021-4-23 18:50:16

stm32f103r8t6 · 发表于 2021-5-5 10:14:10

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