电子产品 EMC问题之RE实验最优解

显示全部楼层 · 2021-4-25 11:52:01

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？立即注册

×

EMC问题之RE实验最优解

RE实验中，最关键的可能也是最难的就是找到干扰源，进而确定是传导辐射还是空间辐射，选择对应的是一定要加屏蔽罩（哪怕环路面积很小，辐射能量还是很强）还是仅仅依靠滤波等就能解决问题。

实验现象:

watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3dlaXhpbl80MTk3NzU1M (182.12 MB, 下载次数: 0)

2021-4-25 11:51 上传

点击文件名下载附件
在160MHz-80MHz出现一大段宽带超标，对于宽带超标，正常是电源或者数据信号引起的，我们对这段频率进行展开，计算频差为300KHz，对照携带的产品频点分布图，发现有一颗电源芯片的频率就是300KHz,首先尝试断开该开关电源，测试曲线图如下：

watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3dlaXhpbl80MTk3NzU1M (169.31 MB, 下载次数: 0)

2021-4-25 11:51 上传

点击文件名下载附件
发现对应频段改善很明显，很幸运找到了干扰源。

下一步对开关电源进行优化，可以从layout角度/滤波减小环路面积/减缓Mosfet启动时间/增加输入电源的滤波（个人觉得这个电容的增加类似PDN中电容，为输出后端提供瞬时能量，降低di/dt和du/dt）/增加屏蔽罩等。

先考虑减小环路面积，由于辐射超标频段是160MHz-180MHz，对照通用的电容谐振频率特性曲线，选择多个10nf并联的电容接在电容输出端，测试后发现有一定的改善（140MHz-160MHz新增加了一个频段，可能跟setup有关）。

watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3dlaXhpbl80MTk3NzU1M (838.93 MB, 下载次数: 0)

2021-4-25 11:51 上传

点击文件名下载附件

watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3dlaXhpbl80MTk3NzU1M (173.88 MB, 下载次数: 0)

2021-4-25 11:51 上传

点击文件名下载附件

在增加10nf输出电容的基础上再减缓Mosfet启动时间，即在boost端增加22R电阻（虽然减缓了上升沿时间，但也会增加mosfet管的上升平台时间，增加功耗），重新测试曲线图：

watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3dlaXhpbl80MTk3NzU1M (174.92 MB, 下载次数: 0)