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[技术文章] 芯片的 eFuse技术

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1. 概念

eFuse的概念最早来源于2004年IBM工程师的发现。该发现表明:
与更旧的激光熔断技术相比,电子迁移(EM)特性可以用来生成小得多的熔丝结构。EM熔丝可以在芯片上编程,不论是在晶圆探测阶段还是在封装中。采用I/O电路的片上电压(通常为2.5V),一个持续200微秒的10毫安直流脉冲就足以编程单根熔丝。
1.png

通过运用eFuse技术,允许计算机芯片的动态实时重新编程。

抽象地说,
计算机逻辑通常是“蚀刻”或“硬编码”到芯片上,在芯片完成后不能改变。通过使用eFuse技术,芯片制造商可以允许芯片上的电路在运行时发生变化。该技术的主要应用还主要是为了芯片的性能调优。如果芯片局部发生问题,例如存储器发生问题,或者需要花费太长的时间来响应,或者消耗了太多的电力,那么芯片就可以通过“blowing”一个eFUSE来立即改变它的行为,已保证其他功能不受影响。

具体些说,
eFuse有点类似EEPROM
,都属于
一次性可编程存储器,eFuse ROM里初始都是1,当且仅能一次把1改成0,也就“blowing”这个eFuse来进行编程,这样芯片内部的电路就发生了改变,该技术对消费者而言没有任何成本的增加。

2. 当前应用
IBM POWER5 and POWER6 high-end RISC processors
IBM System z9 and System z10 mainframe processors
Sony/Toshiba/IBM Cell used in PlayStation 3
IBM/Microsoft Xenon CPU in the Xbox 360 game console.
In the Nintendo Switch's bootloader [1]
TI OMAP3-based mobile phones and other devices[2][3]
Samsung KNOX-enabled devices (KNOX warranty void bit)[4]
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