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ram一样运行的高速非易失性存储器。这允许程序员根据需要灵活地分配ROM和RAM存储器映射。它为最终用户创造了在底层对FRAM进行编程以根据他们的个人喜好进行定制的机会。独立的FRAM允许设计人员发挥创造力,在广泛的设计中探索和使用FRAM。FRAM具有非挥发性、高速写入、高耐力以及低功耗的特性,适合应用在办公自动化设备、通讯设备、音响、影音设备、测量分析装置、娱乐、固态硬盘、自动柜员机、FA等领域。富士通代理介绍一款I2C接口的铁电存储器。 |
FRAM芯片,采用2,048字×8位配置,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同,MB85RC16V能够在不使用数据备份电池的情况下保留数据。 |
MB85RC16V[sup]12[/sup]次读/写操作耐久性,与其他非易失性存储产品支持的读和写操作数量相比,这是一个显着的改进。MB85RC16V可以提供以1字节为单位的写入,因为不像Flash存储器和E | [sup]2[/sup]PROM需要很长的写入时间。因此不需要像写忙状态那样的写完成等待序列。 |
•两线串行接口:完全由两个端口控制:串行时钟(SCL)和串行数据(SDA)。 |
[sup]12[/sup]
•数据保留:10年(+85℃)、95年(+55℃)、超过200年(+35℃) |
•低功耗:工作电源电流90μA(Typ@1MHz)待机电流5μA(Typ) |
•封装:8针塑料SOP(FPT-8P-M02)符合RoHS |
MB85RC16V具有两线串行接口;I2C总线,并作为从设备运行。 |
I2C总线定义了“主”和“从”设备的通信角色,主方拥有发起控制的权限。此外,I2C总线连接是可能的,其中单个主设备连接到派对线路配置中的多个从设备。 |
I2C总线仅通过两条线提供通信,因此,当SCL为“L”电平时,SDA输入应改变。但是,在启动和停止通信序列时,SDA允许更改,而SCL为“H”电平。 |
要通过I2C总线启动读或写操作,请在SCL输入为“H”电平时将SDA输入从“H”电平更改为“L”电平。 |
要停止I2C总线通信,请在SCL输入为“H”电平时将SDA输入从“L”电平更改为“H”电平。在读取操作中,输入停止条件完成读取并进入待机状态。在写入操作中,输入停止条件完成重写数据的输入并进入待机状态。 |
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