cypress代理4Mbit铁电存储器CY15B104QSN

英尚微电子

cypress

Excelon-Ultra CY15B104QSN采用了高级铁电工艺的高性能4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（即FRAM）与RAM相同，是执行读和写操作的易失性存储器。它提供151年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。

与串行闪存不同的是，CY15B104QSN以总线速度执行写操作。并且不引起写操作的延迟。在每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。CY15B104QSN能够提供10

[sup]14[/sup]

次的读/写周期，或支持比EEPROM多1亿次的写周期。由于具有这些特性，因此CY15B104QSN非常适用于需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用。示例的范围包括从数据收集（其中写周期数量是非常重要的）到满足工业级控制（其中串行Flash的较长写时间会使数据丢失）。

CY15B104QSN将4Mbit FRAM与高速度四线SPI（QPI）SDR和DDR接口相结合，从而增强

铁电存储器

技术的非易失性写入功能。该器件包含一个只读的器件ID和唯一ID特性，通过它们，SPI总线主设备可以确定器件的制造商、产品容量、产品版本和唯一ID。该器件包含一个唯一只读序列号，可用来识别某个电路板或系统。

该器件支持片上ECC逻辑，可以在每个8字节数据单元内检测和纠正单比特错误。该器件还包含在8字节数据单元中提供双比特错误报告的扩展功能。CY15B104QSN还支持循环冗余校验（CRC），可用来校验存储器阵列中所存储数据的完整性。代理商英尚微支持提供产品技术支持。

性能

■4Mbit铁电性随机存取存储器（

FRAM

）的逻辑组织方式为512Kx8

❐提供了一百万亿次（10

[sup]14[/sup]

）的读/写周期，几乎为无限次数的耐久性。

❐151年数据保留时间

❐NoDelay™写操作

❐高级高可靠性的铁电工艺

■单线和多线I/O串行外设接口（SPI）

❐串行总线接口SPI协议

❐支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1），适用于所有SDR模式转换

❐支持SPI模式0（0，0），适用于所有DDR模式转换

❐扩展型I/OSPI协议

❐双线SPI（DPI）协议

❐四线SPI（QPI）协议

■SPI时钟频率

❐最高108MHz频率SPI的单倍数据速率（SDR）

❐最高54MHz频率SPI的双倍数据速率（DDR）

■芯片内执行（XIP）模式下的存储器读/写操作

■写入保护，数据安全性，数据完整性

■使用写保护（WP）引脚提供硬件保护

■软件模块保护

■提高数据完整性的纠错码（ECC）和循环冗余校验（CRC）

❐检测并纠正但比特错误的ECC。在发生双比特错误时，它将不纠正错误，但将通过ECC状态寄存器进行错误报告

❐CRC将检测原始数据的任意意外更改

■扩展的电子签名

❐器件ID包含制造商ID和产品ID

❐唯一ID

❐用户可编程序列号。

■专用256字节特殊扇区FRAM

❐专用特殊扇区写和读操作

❐内容可以在最多3个标准回流焊周期内保持不变

■高速度，低功耗

❐SPISDR频率为108MHz时，有效电流为10mA（典型值）

❐QSPISDR频率为108MHz并且QSPIDDR频率为54MHz时，有效电流为16mA（典型值）

❐待机电流为110µA（典型值）

❐深度掉电模式电流为0.80µA（典型值）

❐休眠模式电流为0.1µA（典型值）

■低电压操作：

❐CY15B104QSN：VDD=1.8V到3.6V

■工作温度范围：–40℃到+85℃

■封装

❐8pin小型塑封集成电路（SOIC）封装

❐8pin网格阵列四方扁平无引线（GQFN）封装

■符合有害物质限制标准（RoHS）

CY15B104QSN是一个串行FRAM存储器。该存储器阵列被逻辑组织为 524,288 ×8 位。通过使用工业标准的串行外设接口（SPI）总线可以访问该存储器阵列。FRAM 的功能操作与单线SPI EEPROM或单线/双线/四线SPI闪存的功能操作相同。CY15B104QSN与具有相同引脚分布的串行闪存之间的主要区别在于FRAM具有更好的写性能、高的耐久性和较低的功耗。

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