国产SRAM厂家伟凌创芯512Kbit串行SRAM芯片EMI7512NTMI

安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注

SRAM

存储、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。公司拥有国际知名设 计专家及工作经验丰富工程师研发团队，与国内知名前后道生产合作伙伴紧密合作。深挖客户应用，依托强大的研发实力，融合世界前沿的技术理念快速响应客户的变化需求，为行业客户提供高品质、低成本，供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品，产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。

国产SRAM

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伟凌创芯EMI7512NTMI是一款串行静态随机存取存储器设备，存储器大小为512Kbit。它在内部组织为64K字，每个字8位。该器件采用最先进的CMOS技术设计和制造，以提供高速性能和低功耗。

EMI7512NTMI

采用单片选(CSN)输入运行，并通过简单的串行SPI兼容接口（SPI：串行外设接口）访问。单个数据输入和数据输出线与时钟一起用于访问设备内的数据。该器件包括一个HOLDN引脚，允许在不取消选择器件的情况下暂停与器件的通信。暂停时，除CSN引脚外的输入转换将被忽略。该器件可在-40℃至+85℃（工业级）的温度范围内工作，并采用节省空间的8引脚TSSOP封装。代理商英尚微支持提供样品测试及相关技术支持。

TSSOP8L封装

                               
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EMI7512NTMI主要特点

•工作温度范围：-40℃~+85℃

•电源电压范围：2.7V~3.6V

•工作电流：最大2mA@1MHz

•待机电流：最大15µA@25℃

•内存大小：512kbit

•内存组织：65536x8位

•32字节页面

•SPI兼容接口

•灵活的操作模式：

o字节模式(BYTE)

o页面模式(PAGE)

o页面开始顺序模式(PSEQ)

o虚拟芯片模式(VIRT)

•保持通信暂停引脚

•最大时钟频率：20MHz

•TSSOP8L封装