中国科学技术大学官网获悉,该校郭光灿院士团队在硅基半导体量子计算研究中取得重要进展,在硅基锗量子点中实现了自旋量子比特操控速率的电场调控,以及自旋翻转速率超过1.2 GHz的自旋量子比特超快操控,该速率是国际上半导体量子点体系中已报道的最高值,对提升自旋量子比特的品质具有重要的指导意义。研究成果日前以“Ultrafast and Electrically Tunable Rabi Frequency in a Germanium Hut Wire Hole Spin Qubit”为题在线发表在国际期刊《纳米快报》(Nano Letters)上。