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ROHM开发了新系列的Nch MOSFET(40V/60V/80V/100V/150V)RS6xxxxBx/RH6xxxxBx系列,适用于使用24V/36V/48V电源运行的应用,如工业和消费类设备的基站、服务器和电机。
然而,一般MOSFET的特点是导致功率损耗的两个主要参数:导通电阻(RDS(on)),与芯片尺寸成反比,以及栅极漏极电荷(Qgd)与芯片尺寸成比例增加,这使得实现两者具有挑战性。罗姆通过采用铜夹连接和改进栅极结构,改善了两者之间的权衡。
新型MOSFET通过提高器件性能并采用具有低电阻铜夹连接的HSOP2/HSMT1封装,实现了业界领先的50.8mΩ导通电阻,比传统器件低约8%。此外,Rohm表示,与传统产品相比,改进元件栅极结构可将Qgd(通常与RDS(on)处于权衡关系)降低约40%(比较RDS(on)和60V HSOP8封装产品的Qgd的典型值)。
这些改进降低了开关和传导损耗,极大地提高了应用效率。例如,在比较工业设备电源评估板的效率时,罗姆的新产品在稳态运行期间的输出电流范围内实现了约95%(峰值)的行业领先效率。
应用示例包括服务器和通信基站的电源、工业和消费类产品的电机以及各种电源电路和配备电机的设备。
AMEYA360报道:ROHM宣布推出新型MOSFET |
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