Everspin串行SPI MRAM芯片MR25H10

英尚微电子

Everspin在设计制造

MRAM

和STT-MRAM方面处于翘楚，进入数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用。

我司

Everspin代理

英尚微电子提供的串行SPI MRAM MR25H10是使用最少引脚数快速存储和检索数据和程序的应用程序的理想存储器。

特点

•无写入延迟

•无限制的写入续航能力

•数据保留期超过20年

•断电时的自动数据保护

•块写入保护

•快速、简单的SPI接口，时钟频率高达40 MHz

•2.7至3.6伏电源范围

•低电流睡眠模式

•工业温度

•可提供符合RoHS的8引脚DFN或8引脚DFN-Small Flag

•直接替换串行EEPROM、闪存、FeRAM

•AEC-Q100 1级选项

MR25H10

容量为1Mb的MRAM存储器，位宽为8位的131072个字。提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写定时，无写延迟，读/写持久性无限制。与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序的理想内存解决方案。封装兼容串行EEPROM、闪存和FeRAM产品。