东芝推出采用19纳米第二代工艺技术的新型嵌入式NAND闪存

游水的猪

东芝公司推出新型

嵌入式

NAND闪存模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。该模块符合最新的e･MMC [1]标准，旨在应用于智能手机、

平板电脑

和数字摄像机等广泛的数字消费品。批量生产将从11月底开始。

能够支持高分辨率视频和提供更大存储空间的高密度NAND闪存芯片的需求不断增长。这在包含控制器功能的嵌入式存储器领域尤为明显，这种嵌入式存储器可以使开发要求降至最低，并使得整合进系统设计更加便利。东芝正通过增强其高密度存储器产品系列来满足这一需求。

该公司的新型32 GB嵌入式设备在11.5 x 13 x 1.0mm的小封装中整合了4个64Gbit（相当于8GB）NAND芯片（采用东芝的19纳米第二代尖端工艺技术制造）和一个专用控制器。它符合JEDEC于9月发布的JEDEC e･MMC 5.0版标准，并且通过采用新的HS400高速接口标准实现了高读写性能。

东芝将在密度为4GB至128GB的单一封装嵌入式NAND闪存系列中使用这些NAND芯片。所有设备都将整合一个控制器来管理NAND应用的基本控制功能。

新产品系列
产品名称	容量	封装	批量生产
THGBMBG8D4KBAIR	32GB	153球FBGA	2013年11月底
		11.5x13x1.0mm
THGBMBG7D2KBAIL	16GB	153球FBGA	2013年11月底
		11.5x13x0.8mm

在16GB和32GB产品之后，东芝将依次推出4GB、8GB、64GB和128GB产品。

主要功能

1.    符合JEDEC e･MMC 5.0版标准的接口可以处理基本功能，包括写块管理、纠错和驱动软件。它可简化系统开发，让制造商能够使开发成本最小化，并加快新产品和升级产品的上市速度。

2.    嵌入系统后，128GB模块能够以128Kbps比特率记录长达2,222小时的音乐、16.6小时的全高清视频和38.4小时的标清视频[2]。

3.    新产品采用使用19纳米第二代尖端工艺技术制造的NAND闪存芯片。

4.    新产品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封装，并且拥有符合JEDEC e･MMC 5.0版标准的信号布局。

主要规格
产品名称	THGBMBG8D4KBAIR	THGBMBG7D2KBAIL
接口	JEDEC e･MMC 5.0版标准
	HS-MMC接口
容量	32GB	16GB
电源电压	2.7~3.6V（存储器核）
	1.7V~1.95V / 2.7V~3.6V（接口）
总线宽度	x1 /  x4 / x8
写入速度	每秒90MB.	每秒50MB
	（循序/HS400模式）	（循序/HS400模式）
读取速度	每秒270MB	每秒270MB
	（循序/HS400模式）	（循序/HS400模式）
温度范围	-25至+85摄氏度
封装	153球FBGA	153球FBGA
	11.5x13x1.0mm	11.5x13x0.8mm

[1] e･MMC是采用JEDEC e･MMC标准规格制造的嵌入式存储器产品的商标和产品类别。

[2] HD和SD分别按照17Mbps和7Mbps的平均比特率计算。