我们从2011年坚守至今,只想做存粹的技术论坛。  由于网站在外面,点击附件后要很长世间才弹出下载,请耐心等待,勿重复点击不要用Edge和IE浏览器下载,否则提示不安全下载不了

 找回密码
 立即注册
搜索
查看: 11|回复: 1

[分享] EOS(Electrical Overstress,电气过应力)

[复制链接]
  • TA的每日心情
    开心
    前天 08:35
  • 签到天数: 126 天

    [LV.7]常住居民III

    249

    主题

    420

    回帖

    1060

    积分

    二级逆天

    积分
    1060
    发表于 前天 13:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

    马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区

    您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?立即注册

    ×

    EOS(Electrical Overstress,电气过应力)是指电子元器件或电路在运行过程中承受了超出其设计规格的电压、电流或功率等电气参数,导致性能下降、功能异常甚至永久性损坏的现象。EOS是电子设备可靠性失效的重要原因之一,尤其在电源管理、通信接口、模拟电路等敏感模块中常见。

    一、EOS的成因与分类EOS的来源可分为外部环境因素和内部设计缺陷两类:
    • 外部因素

      • 静电放电(ESD)​:人体或设备携带的静电通过接口或走线直接放电。
      • 浪涌(Surge)​:雷击、电网波动或大型设备启停引起的瞬态高电压/电流。
      • 电源波动:输入电压突升(如电源跌落后的恢复)、电源噪声干扰。
      • 热插拔(Hot-plug)​:带电插拔设备时产生的瞬态冲击。
    • 内部因素

      • 设计缺陷:未考虑元器件耐压/耐流能力,缺乏保护电路。
      • 布局不合理:走线过长、环路面积过大导致寄生电感/电容效应。
      • 驱动过载:信号驱动能力不足导致过冲(Overshoot)或振铃(Ringing)。
      • 温度失控:散热不良导致元器件结温过高,加速老化失效。

    二、EOS的典型表现
    • 元器件损坏
      • IC芯片引脚烧毁、电容鼓包、电阻阻值漂移。
      • MOSFET栅极氧化物击穿。
    • 功能异常
      • 通信接口误码率升高或完全失效。
      • 电源模块输出电压异常(如过压/欠压)。
    • 隐性损伤
      • 元器件性能退化(如漏电流增加),长期使用后可靠性下降。

    三、EOS的诊断与分析
    • 失效定位
      • 目视检查:观察烧焦痕迹、裂纹或变色区域(如电容爆裂)。
      • 显微镜分析:检查焊点裂纹或芯片内部结构损坏。
      • EDS(能谱分析)​:检测金属迁移或污染物。
    • 电路测试
      • 电源纹波测试:检查电源噪声是否超标。
      • 瞬态电压测试:用示波器捕捉接口或电源线的瞬态脉冲。
      • 热成像分析:定位局部过热区域。
    • 仿真验证
      • 使用SPICE或SIwave仿真电路中的瞬态响应和应力分布。

    四、EOS防护设计措施1. 外部防护(接口与电源)​
    • TVS二极管:在电源输入、通信接口(如USB、CAN)并联瞬态电压抑制二极管(如SMAJ、P6KE系列),钳位过压。
    • 气体放电管(GDT)​:用于高压浪涌防护(如雷击防护)。
    • 保险丝/PTC:串联在电源或信号线中,过流时熔断或限流。
    • 共模电感+磁珠:抑制共模噪声和差模噪声。
    2. PCB设计优化
    • 去耦电容布局:在芯片电源引脚附近放置高频去耦电容(如10nF+100pF)。
    • 地线分割:分离数字地与模拟地,避免噪声耦合。
    • 走线宽度与厚度:增大功率线宽以降低寄生电阻,减少热损耗。
    • 保护器件布局:TVS、GDT尽量靠近接口,缩短泄放路径。
    3. 电路设计改进
    • 过压/过流保护电路
      • 使用电压监控芯片(如TPS3808)检测输入电压,触发关断。
      • 集成过流保护芯片(如INA282)或自恢复保险丝。
    • 软启动设计:在电源启动时限制浪涌电流(如RC延时电路)。
    • 信号限幅电路:在敏感信号线上串联电阻并并联TVS(如RS-485接口)。
    4. 热管理设计
    • 散热设计:增加铜箔面积、添加散热片或风扇。
    • 热敏元件:使用NTC热敏电阻或温度传感器监控温度。

    五、EOS典型案例与解决方案失效现象原因分析解决方案
    USB接口芯片烧毁静电放电未防护接口并联TVS二极管,PCB做接地处理
    电源模块输出过压输入浪涌未抑制输入端加TVS+共模电感
    FPGA配置电路失效配置芯片受瞬态电压冲击配置线串电阻+TVS双向钳位
    电机驱动MOSFET炸管栅极驱动过冲增加栅极电阻,栅源间并联TVS

    六、测试标准与验证方法
    • 国际标准
      • IEC 61000-4-5:浪涌抗扰度测试。
      • IEC 61000-4-2:静电放电抗扰度测试。
      • JEDEC JESD22-A114:集成电路ESD/Latch-up测试。
    • 验证流程
      • 设计完成后进行预测试(Pre-test),发现潜在风险。
      • 整改后通过高低温循环、老化测试验证可靠性。

    七、总结EOS防护需从设计预防布局优化器件选型测试验证四个维度协同推进:
    • 早期设计阶段预留保护电路位置,选择耐压足够的元器件。
    • PCB布局时减少干扰路径,优化热管理。
    • 通过仿真和预测试提前暴露问题。
    • 最终结合标准测试确保产品可靠性。
    通过系统性设计,可显著降低EOS导致的失效风险,提升产品鲁棒性。


    回复

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    前天 08:35
  • 签到天数: 126 天

    [LV.7]常住居民III

    249

    主题

    420

    回帖

    1060

    积分

    二级逆天

    积分
    1060
     楼主| 发表于 前天 13:49 | 显示全部楼层
    回复

    使用道具 举报

    您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

    本版积分规则

    每日签到,有金币领取。


    Copyright ©2011-2024 NTpcb.com All Right Reserved.  Powered by Discuz! (NTpcb)

    本站信息均由会员发表,不代表NTpcb立场,如侵犯了您的权利请发帖投诉

    ( 闽ICP备2024076463号-1 ) 论坛技术支持QQ群171867948 ,论坛问题,充值问题请联系QQ1308068381

    平平安安
    TOP
    快速回复 返回顶部 返回列表