新一代3D X-DRAM亮相，目标将DRAM位元容量提高10倍

NEO Semiconductor推出了一项新技术，其突破性3D X-DRAM技术系列的最新进展——业界首款基于1T1C和3T0C的3D X-DRAM单元。

Source：NEO Semiconductor

NEO Semiconductor指出，该技术的推出旨在为最苛刻的数据应用提供前所未有的密度、功率效率和可扩展性。

据悉，新的1T1C和3T0C设计基于类似3D NAND的架构，预计在2026年推出概念验证测试芯片，将DRAM的性能与NAND的可制造性相结合，可实现经济高效、高产量的生产，密度高达512Gb——比传统DRAM提高了10倍。

具体而言，新的1T1C单元集成了一个电容器和一个晶体管。它采用类似3D NAND的结构来降低制造成本，同时利用IGZO（铟镓锌氧化物）沟道来增强数据保留能力，适合人工智能和内存计算（in-memory computing）。

3T0C单元则集成了三个具有IGZO通道的晶体管：写入晶体管、读取晶体管和存储晶体管。其中，存储晶体管通过在其栅极中保存电子来保留数据，从而实现电流感应。在NEO看来，这种设计不仅适用于DRAM应用，也适用于新兴的内存计算和AI应用。

1T1C和3T0C 3D X-DRAM主要具备以下特点：

●无与伦比的保留时间和效率——得益于IGZO通道技术，1T1C和3T0C单元模拟显示保留时间长达450秒，大大降低了刷新功率。

●通过模拟验证-TCAD（技术计算机辅助设计）模拟证实了10纳秒的快速读/写速度和超过450秒的保留时间。

●制造友好——采用改进的3D NAND工艺，只需进行少量改动，即可实现完全可扩展性并快速集成到现有的DRAM生产线中。

●超高带宽——采用独特的阵列架构进行混合绑定，显著提高内存带宽，同时降低功耗。

●适用于高级工作负载的高性能——专为人工智能、边缘计算和内存处理而设计，具有可靠的高速访问和降低的能耗。

NEO Semiconductor创始人兼首席执行官Andy Hsu表示，这项创新突破了当今DRAM的扩展限制。随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我们正在重新定义内存技术的可能性。