Vishay SQJ402EP N沟道功率MOSFET和DG250x模拟开关荣获“2014编辑

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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，该公司的SQJ402EP 100V N沟道功率MOSFET和DG250x系列精密单片四路单刀单掷(SPST)模拟开关荣获杂志2014年度编辑选择奖。

2014年度编辑选择奖的获奖产品是根据这些产品在中国市场上的销售业绩和技术创新选出的。Vishay的SQJ402EP和DG250x系列产品在中国市场上取得了显著成绩，分别荣获“中国汽车电子最具竞争力方案奖”和“中国可穿戴设备最具竞争力方案奖”。

在通过AEC-Q101认证的首批TrenchFET功率MOSFET中，采用ThunderFET技术和只有DPAK一半大小的小尺寸5mmx 6mm PowerPAK SO-8L封装的Vishay Siliconix SQJ402EP具有最低的导通电阻，能在汽车应用里提高效率，节省空间。MOSFET的连续漏极电流达32A，适用于发动机控制单元的喷射增压应用和照明控制单元里照明镇流器的反激式转换器。SQJ402EP的典型总栅极电荷为34nC，导通电阻与栅极电荷乘积的优值系数(FOM)较低，能降低开关损耗，提高整体系统效率。

Vishay Siliconix DG2501、DG2502和DG2503采用超紧凑WCSP 4x4球形焊点封装，是业内最小的SPST模拟开关，在可穿戴电子设备和传感器、便携式医疗设备、消费类产品、工业和通信设备里能够显著节省空间。DG2501、DG2502和DG2503的尺寸为1.4mmx1.4mm，间距为0.35mm，顶面分层封装增加坚固性，尺寸比最接近的竞争器件小50%，比采用标准QFN16封转的开关产品小95%。小尺寸和小于0.01μW的典型功耗，使这些器件能有效延长电池寿命。

自2011年起，《中国电子商情》杂志每年都颁发编辑选择奖。在2011年，Vishay的VJ系列无磁MLCC荣获“2011年度中国最具竞争力电容器产品奖”。2012年，Vishay的MKP1848金属化直流聚丙烯膜电容器和Si7655DN P沟道MOSFET分别荣获“中国最具竞争力电容器产品奖”和“中国最具竞争力功率器件产品奖”。

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