2015半导体厂商资本支出排行，DRAM产业放肆扩张

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韩国半导体大厂三星电子上周才举行完平泽新厂动土典礼，豪掷15.6兆韩元（约154亿美元），金额之高创三星单一厂房投资纪录，究竟其今年资本支出是多少？再反观半导体巨擘英特尔今年的资本支出却缩手缩脚创五年来新低，半导体景气出现杂音，整体半导体厂投资及景气状况究竟如何，也许从调研机构 Semiconductor Intelligence（SC-IQ）与IC Insights 日前发布的消息可以有更多判断依据。

　　调研机构 Semiconductor Intelligence（SC-IQ）整理了 2015 年各半导体公司的资本支出预算，总的来说，内存与晶圆代工/专工（Foundry）占所有半导体产业的支出为最高，分别为 38%与 27%，其中，三星被划分为内存公司，然三星电子旗下除了内存部门，S.LSI部门也有晶圆代工产线，在占比上可能还有商榷的空间。



三大半导体厂资本支出傲视它厂《电子工程专辑》
三大半导体厂资本支出傲视它厂
Source： Semiconductor Intelligence


　　龙头大厂在资本支出的投资为其他厂商所难以企及，光英特尔、TSMC、三星三家半导体巨擘资本支出的总和，就占了所有半导体厂商资本支出的一半。


　　三星尚未确定 2015 年的资本支出，而平泽新厂15.6兆韩元的投资预估将分几年摊提，根据其官方说法2015年资本支出将高于2014 年，2014年资本支出约23.4兆韩元（约217.6亿美元）其中14.3兆韩元（约132.9亿美元）运用于半导体，以三星 2014 年资本支出而论，已是今年半导体厂资本支出之冠。


　　对于 2015 年三星资本支出的明确数字，也有一些数据可供参考，三星日前公布2015 年第一季的资本支出7.2兆韩元（约66.9亿美元），其中4.4兆韩元（40.9亿美元）为半导体事业资本支出。据电子时报先前报导，三星 2015 年资本支出在 151 亿美元，较 2014 年成长 13%，与韩国媒体韩联社援引产业观察家所估计的150亿美元，在差不多的区间。


　　而英特尔除了 PC 需求疲软第一季业绩受影响外，2015 年资本支出也调降至 87 亿美元，较去年 101 亿美元减少14%外，更是近五年来的新低。


　　而台湾半导体一哥台积电（TSMC）为在先进制程加速追赶英特尔，原先宣告 2015 年扩大资本支出 115 亿～120 亿美元，但随着英特尔调降资本支出，4 月中的法说会台积电也跟进，将资本支出下调到 105～110 亿美元，下调幅度约 8～9%，但还是较 2014 年的 95 亿美元成长约 13%，为近五年新高，且是首次超越于英特尔。


　　联电与中芯扩大支出力求突破


　　台湾半导体二哥联电（UMC）则跳过 20 纳米锁定 14纳米 FinFET ，企图弯道超车在制程进度追赶上三星与台积电，在产能上也有所扩张，因此今年度也扩大资本支出至 18 亿美元，较去年成长 29%。而中国加速半导体产业扩张，陆厂中芯国际（SMIC）资本支出也有 38%的增长，扩大至 14 亿美元，与联电相当接近。而美国晶圆代工大厂格罗方德 2015 年资本支出则维持在 48 亿美元与去年相同的水准。



DRAM 产业支出明显上升《电子工程专辑》
DRAM 产业支出明显上升

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DRAM产业放肆扩张