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[技术讨论] IGBT的高阻放大区

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发表于 2013-2-1 16:16:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  “晶体管是一种放大器”,ABB公司的半导体专家卡罗尔在文献1中对晶体管给出了中肯评价。晶体管与晶闸管的本质区别在于:晶体管具有放大功能,器件存在导通、截止和放大三个工作区,而放大区的载流子处于非饱和状态,故放大区的电阻远高于导通区;晶闸管是晶体管的正反馈组合,器件只存在导通和截止两个工作区,没有高阻放大区。

  众所周知,功率半导体器件都是作为开关使用的,有用的工作状态只有导通和截止,放大状态非但没用,反而起负面作用。理由是如果电流通过放大区,由于该区的电阻较大,必然引起剧烈的发热,导致器件烧毁。IGBT 从属于晶体管,同样存在高阻放大区,器件在作开关应用时,必然经过放大区引起发热,这是包括IGBT 在内的晶体管在开关应用上逊色于晶闸管的原理所在。
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