10nm DRAM芯片可以加快DDR4采用

三星电子公司生产的面向PC和IT网络的存储器是业界首款

10nm级8Gb DDR4 DRAM芯片

。

它们能够在IT系统中实现最高的投资效率。三星电子公司存储器事业部总裁Young-Hyun Jun说，公司还将为移动制造商推出新一代

高密度10nm级移动DRAM产品

。

8Gb DDR4 DRAM将20nm 8Gb DDR4 DRAM的晶圆生产率提升了30%以上，支持3,200Mb/s数据传输速率，而其它20nm DDR4 DRAM的速率仅为2,400Mbps。

模块的功耗也比采用20nm工艺的竞争产品低10~20%，从而提高了新一代高性能计算（HPC）系统和其他大型企业网络以及用于PC和主流服务器市场的产品的设计效率。

关键技术发展包括改进了专有单元设计技术、QPT（

四重曝光技术

）光刻和超薄介电层沉积。

不同于一个单元仅包含1个晶体管的NAND闪存，每个DRAM单元都需要1个电容器和1个晶体管连接在一起，电容器通常被置于晶体管安装区域之上。

10nm级单元结构利用专有电路设计技术和四重曝光光刻技术开发而成。通过能够利用现有光刻设备的四重曝光，公司还为开发新一代10nm级DRAM打下了核心技术基础。

改进的介电层沉积技术还进一步提升了10nm级DRAM的性能。

看看了解下。。