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[最新新闻] 10nm DRAM芯片可以加快DDR4采用

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三星电子公司生产的面向PC和IT网络的存储器是业界首款
10nm级8Gb DDR4 DRAM芯片


它们能够在IT系统中实现最高的投资效率。三星电子公司存储器事业部总裁Young-Hyun Jun说,公司还将为移动制造商推出新一代
高密度10nm级移动DRAM产品


8Gb DDR4 DRAM将20nm 8Gb DDR4 DRAM的晶圆生产率提升了30%以上,支持3,200Mb/s数据传输速率,而其它20nm DDR4 DRAM的速率仅为2,400Mbps。


模块的功耗也比采用20nm工艺的竞争产品低10~20%,从而提高了新一代高性能计算(HPC)系统和其他大型企业网络以及用于PC和主流服务器市场的产品的设计效率。


关键技术发展包括改进了专有单元设计技术、QPT(
四重曝光技术
)光刻和超薄介电层沉积。


不同于一个单元仅包含1个晶体管的NAND闪存,每个DRAM单元都需要1个电容器和1个晶体管连接在一起,电容器通常被置于晶体管安装区域之上。


10nm级单元结构利用专有电路设计技术和四重曝光光刻技术开发而成。通过能够利用现有光刻设备的四重曝光,公司还为开发新一代10nm级DRAM打下了核心技术基础。


改进的介电层沉积技术还进一步提升了10nm级DRAM的性能。
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发表于 2016-4-8 22:13:49 | 显示全部楼层
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