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日经新闻3日报导,全球第2大存储器厂商东芝(Toshiba)将在2017年度采用被称为「纳米压印(Nano-imprint Lithography;NIL)」的新技术、生产使用于智能手机等产品的NAND Flash,藉此可让曝光工程(形成回路的工程)成本压低至采用现行技术的1/3水平,就整体制造工程来看,预估成本有望删减约1成。
报导指出,东芝正和大日本印刷(DNP)、Canon持续研发NIL技术,以期望藉由提高成本竞争力、对抗南韩三星电子。
据报导,东芝计划今后3年内对半导体事业砸下8600亿日圆进行投资,其中部分资金将用来整备采用NIL技术的NAND Flash产线,且计划于2017年度开始进行生产、之后并计划利用预计于2018年度启用的新厂房进行量产。
因现行技术已难以进一步提高半导体性能,故包含东芝在内的全球半导体大厂正积极进行次世代技术的研发,而除了上述的NIL之外,荷兰设备厂ASML在获得美国英特尔(Intel)、南韩三星的支援下,正进行「极紫外光(EUV)曝光」技术的研发。
东芝3月18日宣布,将在2016年度-2018年度的3年间总计砸下约8600亿日圆投资NAND Flash,除将兴建3D Flash新厂房之外,也将对现有厂房进行设备更新、提高3D Flash的生产比重。 |
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