新型智能手表显示FD-SOI正当时？

尛智

在今年，业界对FD-SOI的讨论终于从理论性的制程技术比较，转移到由产品与应用所决定的技术竞争。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201610/310957.htm
　　因为没有可见的终端产品能证明其号称超低功耗的特色，全空乏绝缘上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)制程一直得努力克服半导体产业界许多工程师的质疑，例如：该技术的好处在哪?在商业市场上有实际产品吗?它真正的优势何在?
　　终于，现在有实际产品可以做为FD-SOI制程的实证──是一只中国智慧型手机品牌业者小米(Xiaomi)副品牌华米(Huami)新推出的智慧手表Amazfit，内建了日本大厂索尼(Sony)以28奈米FD-SOI制程生产的GPS晶片。
　　Amazfit定价120美元，配备了一系列运动追踪感测器以及蓝牙低功耗4.0晶片、Wi-Fi无线晶片、GPS晶片、心律感测器以及NFC;该款智慧手表的独特之处在于较长的电池寿命，据华米表示，它能五天充电一次、或是开启GPS功能35小时。
　　这是Sony的一场胜利，对FD-SOI支持者来说甚至是更大的胜利;华米的智慧手表证明了该技术号称超低功耗的特性。
　　法国晶圆业者Soitec执行长Paul Boudre在接受EE Times访问时表示：“去年产业界对FD-SOI的讨论集中在该技术与另一种制程技术FinFET之间的竞争;”而在今年，业界对FD-SOI的讨论终于从理论性的制程技术比较，转移到由产品与应用所决定的技术竞争。他指出，衡量FD-SOI的标准在于该技术能为终端产品带来的价值，也就是它实际的能源使用效益。
　　Sony是在2015年1月于日本东京举行的SOI产业联盟会议上，发表以28奈米FD-SOI制程技术制造的新一代全球卫星导航系统(GNSS)晶片;接着在今年初举行的国际固态电路会议(ISSCC)上，Sony的工程师团队发表了一篇关于28奈米FD-SOI制程GNSS接收器的技术论文。
Sony在2016年度ISSCC发表的GNSS接收器晶片RF电路 (图片来源：ISSCC)
　　该篇Sony论文作者指出，GNSS是感测处理器的基础，至于该功能为何如此难以内建于可穿戴系统，是因为目前的GNSS接收器耗电量约10mW：“GNSS接收器的低杂讯RF需要高供应电压，带来非常高的耗电。”
　　Sony的设计工程师是透过有效利用FD-SOI制程开发出的0.7V射频(RF)电路实现其技术突破;在上个月，Sony也参加了在中国上海举行的FD-SOI论坛，探讨该公司的FD-SOI制程GNSS接收器最终成品。
随着Sony完成了FD-SOI制程的GPS/GNSS晶片RF与逻辑电路设计，该公司将持续追踪位置的RF功耗，从6.3mW (前一代晶片)大幅降低至1.5mW。

　　对中国市场的影响
　　Soitec的Boudre指出，华米智慧手表的电池续航力在GPS功能开启的情况下，是竞争产品的2.5倍，藉此证明了Sony晶片的价值，以及FD-SOI制程技术在功耗/性能/成本方面的优势。
　　在这样的推广效应下，中国的无晶圆厂晶片设计业者开始对于以FD-SOI制程设计晶片越来越有兴趣;Boudre预测，在未来12~18个月：“会发现来自中国的终端产品内，出现更多采用以FD-SOI制程设计、制造的晶片。”
　　此外市场也持续猜测中国纯晶圆代工厂上海华力微电子(Huali)，可能会开始提供FD-SOI制程;对此Boudre表示：“他们有机会这么做。”
　　而且Boudre透露，华力并非唯一向FD-SOI制程靠拢的中国晶圆代工业者;在一年前，Soitec与中国的半导体矽材料供应商上海新傲科技(Simgui Technology)共同宣布，首批采用Soitec 独家Smart Cut 技术之8寸(200-mm) SOI晶圆片，已经在新傲的上海厂产出。
　　FD-SOI制程现况
　　目前包括三星(Samsung)与Globalfoundries都在推广FD-SOI制程代工，前者采用28奈米节点，后者是22奈米;而Boudre认为，中国也会在FD-SOI制程的推广上扮演要角：“当Globalfoundries表示，其FD-SOI制程生产线已经有50个设计案进行中，该技术已经接触产业界每一家晶片制造商。”
　　就在上个月，Globalfoundries宣布，其接续22FDX的下一代FD-SOI制程12FDX已经接近量产(参考阅读);12FDX号称能提供媲美10奈米FinFET制程的性能，比16奈米FinFET更佳的功耗表现以及更低的成本。预计12FDX的客户投片时程在2019上半年。
　　如Boudre所言，某些特定应用需要FinFET电晶体的高性能，但有很多连网装置需要高(RF)整合度、更高的弹性、超低功耗以及更低成本，却是FinFET无法提供的。
　　最近车用视觉处理器晶片设计业者Mobileye决定选择以FinFET制程生产新一代EyeQ 5晶片(预计2018年上市)，但该公司先前一直是委托意法半导体(STMicroelectronics)采用FD-SOI制程生产所有的EyeQ视觉处理器晶片。
　　对此Boudre表示：“这件事很简单，Mobileye在去年必须要决定制程技术，但当时12奈米FD-SOI制程还未就绪，只好选择另一种制程技术;所以制程发展蓝图真的很重要。”
　　他指出，法国技术研究机构CEA-Leti就正在为FD-SOI制程开发更长期的技术蓝图，最近已经公布了10奈米的FD-SOI制程“矽资料(silicon data)”，该机构现在已经具备7奈米节点的FD-SOI制程“建模资料(modeling data)”。

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