TA的每日心情 | 郁闷 2024-7-26 17:46 |
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传苹果(Apple)将在下一款iPhone的NAND Flash以球状闸阵列(BGA)封装取代原本的平面闸格阵列(LGA)封装,因此将带动用于BGA制程的锡球(solder ball)市场需求,相关业者可望跟着受惠。
业界消息指出,由于鸿海对苹果表示LGA封装的NAND Flash存储器容易从主机板上脱落,建议改变封装方式,因此日前苹果通知存储器业者,用于下一款iPhone的NAND Flash存储器必须采用BGA封装。
先前由于LGA制程易于进行电磁干扰(EMI)遮蔽制程加工,因此苹果选择以LGA进行存储器封装。但负责产品代工组装的鸿海表示,用在LGA制程的锡膏(solder paste)黏着力不足,易使表面黏着(surface mounting)发生良率问题,因此建议苹果改用BGA封装存储器。
据了解,苹果接受鸿海建议,因此日前已通知负责生产NAND Flash的存储器业者,搭载于下一款iPhone手机的NAND Flash必须采用BGA封装。业界认为,届时苹果将对由锡、银、铜合成的焊接锡球产生大量需求。
苹果决定改采BGA技术封装NAND Flash,因此要求业者必须尽量缩小芯片与主机板间的距离,方便EMI遮蔽制程进行。为此,EMI遮蔽业者积极开发新技术,确保面对BGA封装的存储器时也能完成作业。
依开放式NAND快闪存储器介面工作小组(Open NAND Flash Interface Working Group;ONFI)制定的标准,LGA封装为52Pin,BGA封装为63Pin。若以苹果每年卖出2.1亿支iPhone估算,存储器改用BGA封装时,每年锡球的需求量将达到130亿颗。
业界表示,锡球在韩国半导体领域算是国产化速度较快的材料,其中DS Hi-Metal、MK电子(MK Electron)更在全球市场位居第二、第三,仅次于日本千住金属(Senju Metal),市占率分别为20%、19%及40%。
苹果在iPhone的NAND Flash存储器上采用BGA封装后,有可能逐步扩大应用到其他产品,也可能带动其他业者跟进,因此未来市场上对锡球的需求势必增加。
目前三星电子(Samsung Electronics)的锡球供应商有DS Hi-Metal、Phoenix Materials、千住金属及MK电子;SK海力士(SK Hynix)则有DS Hi-Metal、MK电子、千住金属及韩国未上市公司SDS负责供应。 |
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