10年追“芯”路 “中国存储器航母”终起航

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存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。当前，虽然我国缺乏大规模存储芯片生产厂家，但全球集成电路产业增长放缓，为我国实现赶超、缩小差距提供了难得机遇。未来，随着武汉光谷国家存储器基地逐步建成，我国存储器产业的发展也将再上新台阶。
2016年年底，总投资240亿美元的国家存储器基地项目在武汉光谷开工。该项目位于武汉东湖高新区未来科技城，将建设3座3D NAND Flash FAB厂房。项目一期计划2018年建成投产；2020年完成整个项目，总产能将达到30万片／月，年产值将超过100亿美元。记者了解到，目前一期建设的80亿美元资金已全部到位。
紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国接受记者采访时说，国家存储器基地动工建设，标志着中国存储芯片产业规模化发展“零”的突破，这是“国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作”新模式的成功探索。未来，这里将建起“航母级芯片工厂”。

中国玩家来了
据介绍，国家存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设，总占地面积1968亩。以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节发展。
存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。随着大数据、云计算产业发展，存储芯片在整个芯片市场占比超过25%，未来5年内将达到45%左右。赛迪智库半导体所所长霍雨涛认为，当前全球集成电路产业增长放缓，为我国实现赶超、缩小差距提供了难得机遇。

“此前，我国没有大规模存储芯片生产厂家。”赵伟国介绍，由于技术难度高、投资总量大，目前全球仅有三星、东芝、美光、海力士四大“玩家”能生产主流存储器。要赢得存储芯片制造的竞争，就必须建起“航母级”芯片工厂。“核心生产厂房和设备每平方米投资强度超过3万美元，相当于每平方米面积的核心厂房，都是用300张一百美元面值的钞票堆出来的”。赵伟国如此形容项目投资金额之巨大。
追“芯”10年路
长江存储的起点不低，投产后将生产3D NAND闪存。这种将过去平面闪存作立体堆叠的三维闪存，存储芯片相当于实现了从“平房”到“楼房”的跨越。目前，三星的V-NAND闪存，堆栈层数从24层提高到48层。
长江存储能否赶上国际巨头？赵伟国信心十足。他说，长江存储是在武汉新芯的基础上建立的。两年前，武汉新芯就开始对3D NAND闪存展开研发，这个领域正是中国存储芯片制造业弯道超车的机会。
2006年，湖北省、武汉市和东湖高新区投资107亿元建设了武汉新芯12英寸晶圆制造项目，投资额占当年湖北省国有经济投资总额的近十分之一。经过10多年积累，以武汉新芯为龙头，集聚了芯片设计、制造、封装材料等相关企业近50家，包括武汉高德红外、海思光电子、烽火通信、中船（武汉）微电子等企业，总产值达到50亿元。