高通/联发科/海思/三星 2017年10nm手机“芯”力量谁最强？

xzcxnihd · 发表于 2017-1-10 11:12:38

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虽然摩尔定律即将走向终结，但半导体制程工艺推进的脚步却一直没有停下过。台积电和三星作为ARM芯片代工阵营的领军企业，双方你追我赶大打制程战，已将制程工艺推进至10nm，而高通联发科等我们所熟知的IC设计厂商都已宣布推出10nm手机芯片，可以预见2017年的手机芯片将是10nm的天下。那么这些10nm芯片都是什么样的呢？
10nm究竟是个什么概念？我们知道在处理器当中有着数以亿计的晶体管，而这个10nm是指晶体管的沟道长度，自然是长度越短体积就越小，从而在同样处理器尺寸的前提下能够放下更多的晶体管来提升性能，或是采用同样的晶体管数量制造出尺寸更小的处理器。
高通骁龙835
去年11月联合三星正式宣布了骁龙835后，高通近日在CES上公布了骁龙835的更多细节资料。骁龙835采用三星10nm FinFET工艺，8核Kryo 280架构，4大核最高主频2.45GHz，4小核最高频1.9GHz，骁龙835配备Adreno 540GPU，还集成下行速率高达1Gbps的X16通信基带，规格参数十分强悍。

骁龙835相比前代820最大的改变就是从四核心（2大核+2小核）设计改为八核心（4大核+4小核），这样的设计并不罕见，但高通将其称之为“两个CPU丛集”：一个性能丛集、一个效率丛集。其中，前者主频提升到2.45GHz，二缓2MB，后者提升到1.9GHz，二缓1MB。
骁龙835相比上代产品骁龙820另一大改进便是功耗。由于采用了最新的10nm工艺，性能比820提升了27%之多，但是功耗降低了25%。能效比的提升使得续航表现有进步。也就是搭载骁龙835的手机，电池更加耐用了。同样在重度使用下，相比骁龙820，骁龙835能够提供额外的2.5小时的使用时间。
此外，骁龙835还带来了最新的快充技术Quick Charge 4，充电五分钟，智能手机将能续航五小时以上，并且同时也可以兼容业界type C的快充标准。
联发科Helio X30
去年九月份，联发科发布了十核芯处理器Helio X30，也是全球首款采用10nm工艺的移动处理器，由台积电负责代工。

据悉，联发科 X30依然使用三丛十核结构，采用10nm工艺，包括两个Cortex-A73 2.8GHz强力核心，四个Cortex-A53 2.3GHz大核心，四个Cortex-A35 2.0GHz小核心。GPU使用PowerVR 7XTP，四核心820MHz，内存支持提升到四组16-bit LPDDR4X 1866MHz，最大容量8GB，同时支持UFS 2.1，整合基带LTE Cat.10，支持三载波聚合，最大下载速率450Mbps，上传100Mbps。整体上X30相比X20性能提升43%，功耗降低53%。对于消费者来说，性能提升当然重要，可是能更加合理的调度核心，不会长时间工作立刻缩缸，才是让手机速度满满的保证。
12月份时，GeekBench数据库里首次出现了Helio X30（编号MT6799）的跑分成绩，一共两份，单核心1504/1481分，多核心4666/4679分。

这样的成绩显然无法令人接受，要知道现在的Helio X25最高可以超过1800、5200分，Helio X20也能跑出1700、5100分。
当然GeekBench也有提醒，这是Helio X30的初期测试版本，其主频明显是比正式版本要低的。Helio X30测试中的小核心频率只有1.59GHz，大大低于标称的2.0GHz，同时可以推算出A73大核心的频率也只有2.0GHz，距离标称的2.8GHz相去甚远。
如果能够跑出满血，理论上Helio X30的成绩可以跑出2100、6500分左右，比现在有明显提升，也能超越骁龙821。