存储器国产化为何选3D NAND作为突破口？

xzcxnihd

[paragraph]
在上海一场以“匠心独运，卓越创芯”为主题的IC技术峰会上，长江存储CEO杨士宁先生参会并发表了题为《发展存储产业的战略思考》的演讲。在演讲中，他对为什么选择发展存储、为什么选择3D NAND Flash作为突破口、还有3D NAND Flash将面临什么样的挑战等问题，作了深刻的分析。

为什么中国要发展存储产业
在详细介绍为什么中国要发展存储产业之前，杨士宁首先对存储产业的整体状况作了一个分析。根据他的说法，在全球的半导体存储产品中，NAND 和 DRAM的产值占全球存储总额的95%。

而随着云计算、大数据、物联网等应用的发展，未来NAND的需求会持续增加，这就意味在可见的未来里，存储产品的需求量的大增，会带来庞大的市场价值。

中国作为全球的制造基地，在存储方面的消耗量是惊人的。根据数据统计，中国存储器的消耗量占全球总消耗量的50%以上，但是当中能由国产厂商供应的存储产品则是屈指可数。杨士宁表示，目前全球的存储产品（包括DRAM和Flash）都是由几家厂商承包，这个对于发展自主可控的中国信息技术产业是一个很大的挑战。因此发展国产的存储产业就被提上给了日程。
从另一方面看，存储产业供应的高度集中，缺少强力的竞争对手，尤其是三星电子在DRAM和NAND上面的全球垄断，让很多终端厂商有了顾虑，不少的同行竞争者也是有了其他想法，这就促使具有庞大存储消耗量的中国去发展存储产业。

再加上国家推行集成电路发展纲领，成立国家大基金支持集成电路产业的发展。于是存储就成为了发展的重点。
就这样，以发展国产存储为目的的长江存储顺势成立。
为什么以3D NAND作为突破口
在选定而来聚焦存储方向以后，接下来就要选择合适的产品方向，寻求更好的突破。
杨士宁指出，选择3D NAND作为突破口，是企业需求、外部机遇和市场动力的吻合。这是个技术的问题，更是个经济的问题。
他在演讲中表示，NAND和DRAM都是需要的存储产品，但是考虑到DRAM有两个增加难度：1.竞争对手有大量折旧完的产能，这样的问题也发展在2D NAND上；需求增长相对缓慢，因此长江存储就选择了增量巨大，且全球的厂商正在追逐的3D NAND产品作为突破口。

再加上看一下全球竞争对手的布局，与2D NAND和DRAM不一样，前者是一个高度成熟的市场，且在那个维度没有什么突破，竞争对手的深厚布局，让长江存储没有更多的机会。而3D NAND 相对来说，则是一个很好的机遇。

lg0556

zengfanlong

不错，不错