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先进制程显然对吸引高利润率业务极为关键,各家企业早在各个节点上展开时间竞赛。如今,先进制程的战役已在10纳米开锣,继台积电与联发科共同推出10纳米产品Helio X30后,三星也携手高通在1月初的CES展上推出了高通骁龙835。下一步的争夺战即将指向7纳米。
7纳米是关键性制程节点
“7纳米是很重要的节点,是生产工艺第一次转向EUV的转折点。三星和台积电都宣布了将采用EUV(极紫外光微影)技术在7纳米,而EUV是摩尔定律能够进一步延续到5纳米以下的关键。” Gartner(中国)研究总监盛陵海表示。
EUV光刻被认为肩负着缩小晶体管尺寸,延续摩尔定律的重任。与目前使用的193纳米波长沉浸式光刻技术相比,EUV可以连续单次曝光,可以大大减少制造过程中的多重曝光步骤、光罩数量以及时间和成本。而如果没有EUV,在7纳米阶段,仅光罩数量就有可能达到80层以上。因此早在2012年,英特尔、三星、台积电就曾联手为生产EUV设备的ASML募集了13.8亿欧元的研发经费。
而从记者多方采访的情况来看,工业界从业人士大多认同10纳米是短节点或是过渡性节点。除尺寸实现缩小外,在性能提升上并没有完全遵循摩尔定律,而7nm则将是长寿的重要节点。
盛陵海指出,7nm与10nm相比,物理尺寸上缩小1.5~1.9倍,各家比例会有些细微差别,不过都可以在同样面积中增加更多的晶体管,速度也应该有提高。
尤其是在7nm的下一个节点——5nm上,有太多的物理极限需要突破。在5nm工艺研发成功前,很有可能7nm将成为AP的主流工艺,跟16/14nm搭配在一起,提供给不同的客户。
比利时微电子研究中心(IMEC)中国总经理丁辉文指出,7nm的重要性还体现在客户需求上。由于苹果、三星等智能手机更新换代节奏加快,这些大客户们更快地转向7nm,要求半导体制造企业也必须走向7nm。
台积电7nm抢跑
在先进制程方面,玩得起的显然只剩寥寥可数的那几个大玩家。台积电中国区负责人罗镇球指出,在7nm节点上,台积电和英特尔、三星的竞争十分激烈,资金的投入都是以数十亿美元计。而根据Gartner公布的数据,设计一颗7nm的SoC芯片大概需要2.71亿美元,比一个28nm的平面器件成本高出9倍之多。
12日的法说会上,台积电共同执行长刘德音正面回应了关于近期业界对台积电7nm制程的传言。他指出,台积电先进制程的节点应该会比16nm约65%~70%的市占率高,在7nm上,台积电现已有20个客户正在洽谈设计,预计全年将有15至20个客户Tape-out(设计定案)。
按照此前的消息,台积电应是于今年第一季度开始7nm风险试产,提供试产初期的CyberShuttle(晶圆光罩共乘服务),并于今年第二季度接受客户的Tape-out。
若一切顺利按照计划进行,在7nm制程上台积电显然处于领跑位置。 |
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