一文尽知IGBT产业链及国内技术进展

xzcxnihd · 发表于 2017-1-30 14:55:54

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IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，具有高频率、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”，广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、新能源、交流变频、风力发电、电机传动、汽车等强电控制等产业领域。随着以轨道交通为代表的新兴市场兴起，中国已经成为全球IGBT最大需求市场。
国外IGBT产业链主要厂商
纵观全球市场，IGBT主要供应厂商基本是欧美及日本几家公司，它们代表着目前IGBT技术的最高水平，包括德国英飞凌、瑞士ABB、美国IR、飞兆以及日本三菱、东芝、富士等公司。其IGBT技术基本发展到第六代技术产品，IGBT产品覆盖了600-6500V/2-3600A全线产品。在高电压等级领域（3300V以上）更是完全由英飞凌、ABB、三菱三大公司所控制，在大功率沟槽技术方面，英飞凌与三菱公司处于国际领先水平。
国内IGBT产业链主要厂商
1、株洲中车时代电气
类型：IDM
主要产品及服务：1200V-6500V高压模块，国内唯一自主掌握了高铁动力IGBT芯片及模块技术的企业
2、深圳比亚迪
类型：IDM、模组
主要产品及服务：工业级IGBT模块、汽车级IGBT模块（新能源车用与上海先进合作）、600V IGBT单管、IGBT驱动芯片
3、杭州士兰微
类型：IDM
主要产品及服务：300-600V穿通型IGBT工艺，1200V非穿通型槽栅IGBT工艺，面向电焊机、变频器、光伏逆变器、电机逆变器、UPS电源、家电、消费电子
4、吉林华微
类型：IDM
主要产品及服务：3英寸、4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，应用于逆变器、电磁炉、UPS电源
5、重庆中航微电子
类型：IDM
主要产品及服务：1200V/20-50A IGBT功率模块
6、天津中环股份
类型：IDM
主要产品及服务：用于消费电子IGBT已经量产，高电压IGBT还在研发，节能型功率器件可用于充电桩
7、西安永电（中国北车子公司）
类型：模块
主要产品及服务：1200V-6500V/75A-2400A高压模块，主要面向轨道交通、智能电网等高压领域
8、西安爱帕克
类型：模块
主要产品及服务：600V-1200V/50A-400A模块
9、威海新佳
类型：模块
主要产品及服务：1200V/50A-300A模块，应用于AC和DC电机控制、变频器、UPS等领域
10、江苏宏微
类型：模块
主要产品及服务：600V-1200V/15A-60A单管、600-1700/15-800A模块，应用于特种电源、电焊机、UPS、逆变器、变频器等领域
11、嘉兴斯达
类型：模块、设计
主要产品及服务：600V-3300V/1800A-3700A模块
12、南京银茂
类型：模块、设计
主要产品及服务：600V-1700V/15A-200A模块，应用于工业变频、新能源、电源装备等
13、无锡中科君芯
类型：设计
主要产品及服务：国内唯一全面掌握650V-6500V全电压段IGBT芯片技术企业，面向电磁感应加热、变频家电、逆变焊机、工业变频器、新能源等领域
14、西安芯派
类型：设计
主要产品及服务：650V-1700V/80A-600A IGBT，应用于电源管理、电池管理、电机控制及充电桩等领域
15、吉林华微斯帕克
类型：设计
主要产品及服务：智能功率模块及大功率IGBT模块
16、宁波达新
类型：设计
主要产品及服务：单管、模块、面向逆变焊机、工业领域、白色家电、充电桩、UPS电源、光伏逆变器、空调、电磁感应加热
17、无锡同方微
类型：设计
主要产品及服务：600V/1200V/1350V，用于交/直流驱动、不间断电源、电磁炉、通用逆变器、开关和共振模式电源供给等
18、无锡新洁能
类型：设计
主要产品及服务：Trench NPT/Trench FS工艺，1200V/1350V；适宜于电磁加热等各类软开关应用
19、上海金芯微电子类型：设计
主要产品及服务：面向电磁炉领域
20、山东科达
类型：设计
主要产品及服务：600V、1200V单管、模块，应用于电磁炉、小功率逆变器、逆变焊机、无刷马达控制器、UPS、开关电源、液晶电视及显示器、太阳能应用等领域
21、上海华虹宏力
类型：芯片制造
主要产品及服务：拥有600V-1200V Trench FS及1700V Trench NPT工艺；3300V-6500V高压芯片工艺正在研发
22、上海先进
类型：芯片制造
主要产品及服务：为英飞凌代工
23、深圳方正微
类型：芯片制造
主要产品及服务：提供功劳分立器件IGBT晶圆制造技术
24、上海中芯国际
类型：芯片制造
主要产品及服务：代工厂
25、无锡华润上华
类型：芯片制造
主要产品及服务：1200V phanar NPT IGBT工艺