三星96层 3D NAND蓄势待发

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全球半导体厂商对3D NAND Flash的投资丝毫不手软，三星电子(SamsungElectronics)欲维持相同的市场主导权变得不是那么容易。分析师预测，三星应会设法提前导入新一代制程，以确保既有的市场竞争力。
　　据韩媒Business Post报导，南韩金融投资分析师表示，以三星电子为首的全球半导体厂商对3D NANDFlash的投资速度比预期还快，再过不久市场上就可能形成新的竞争格局。
　　三星从2015年起以3D NAND技术在市场上拔得头筹，几乎维持市场独大的局面，但2018年之后这种情形可能改观。因为SK海力士(SKHynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)等其他竞争者在2017年底前规划的生产投资规模远超过三星。
　　2016年底三星的3D NANDFlash产能以晶圆投片量计算，每月约12万片，三星计划在2017年持续扩大产能至30万片。而竞争者的投资规模加总后，产能上看28万片。
　　分析师表示，2017年全球3DNAND产量将比2016年增加164%，唯有高容量固态硬盘(SSD)的需求持续增加，才能消化这些增加的供给量。如果其他厂商的投资进度照计划进行，2017年底时，三星的市占率可能会低于50%。2015年三星市占率为100%，2016年为66%。
　　因此三星必须提高技术竞争力，才能与其他厂商维持差异性，达到有效防御。目前三星主要量产48层与64层3D NANDFlash，2018年完成96层产品研发后，应会尽快进行量产。
　　美光、西部数据(Western Digital)、东芝目标在2017年开始量产64层3D NANDFlash，SK海力士则决定在2017年下半抢先量产72层产品。因此三星在量产96层3D NANDFlash之前，除了主打64层技术之外，与竞争者的技术差距变得不再显着。
　　3D NANDFlash的堆叠层数愈高，产品性能与生产效率愈佳。三星在近期的说明会上虽然曾表示，公司正在进行96层技术研发，但未提及明确的量产时程目标。
　　分析师表示，这段期间三星能利用3D NANDFlash取得惊人获利与市场地位，主要是因为技术领先对手1年以上，未来三星如果要维持相同水准，势必得更积极进行研发，进行更大规模投资，才能摆脱竞争者的追击。

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