中国半导体工艺技术任重道远：目前才搞定28nm量产！

kevin-wang

IBM昨天联合三星、Globalfoundries宣布了全球首个5nm半导体工艺，性能提升40%，功耗降低75%。IBM这则消息就是在VLSI大规模集成电路会议上宣布的，这也是国际级的半导体会议。这次会议也暴露了我们在半导体制造技术依然没有什么存在感，虽然总计提交了18篇论文，但入选的只有1篇，仅占全部入选论文的1/64，远远低于美国、日本、欧洲、韩国、新加坡及台湾地区。

2017年的VLSI国际会议是在日本东京举行的，昨天正式开幕，会期8天，全球领先的半导体技术公司、科研机构汇聚一堂讨论未来技术的发展。日本PCWatch网站报道了一些有关大会论文的数据，提交及入选的论文一定程度上可以代表这个公司及所在国在该行业的地位。

这次大会收到了16个国家和地区的160篇论文投稿，包括印度、沙特、阿联酋等国家，其中美国有36篇，位居第一，欧洲区有34篇，不过这并不算一个国家，台湾地区有26件，中国和韩国各有18篇论文申请，这么看的话大陆的论文申请数据还是挺多的，至少说明了国内参与的愿望还是挺强烈的，日本也才16篇，在亚洲位居第四。

160篇论文中有64篇最终被大会采纳，其中美国有15篇，日本有10篇，韩国和台湾地区各有8篇入选。对中国来说，提交的18篇论文中只有1篇被采纳，只占全部论文中的1/64。


综观十年来的统计结果，中国被采纳的论文数量一直不多，2014年最多也就是3篇，2015年没有，2016年也是1篇。虽然说被采纳的论文跟这个国家或者地区的半导体技术实力不能绝对挂钩，但被采纳的论文越多，总体上依然能证明这个国家/地区的实力的，入围较多的美国、欧洲、韩国、韩国都是半导体制造工艺先进的国家和地区。

具体来看，这次入围的64篇论文中，IMEC（比利时微电子中心）有7篇论文入选，蓝色巨人IBM有6篇论文入选，三星也有6篇，Globalfoundries是5篇，法国CEA-LETI学院是4篇，TSMC也有3篇，其他入围的也是一些科研机构或者学校，包括台湾交通大学、日本东京大学、新加坡国家科学院、美国普渡大学、圣母大学等等。


第一天的日程中，这些全球顶尖的半导体公司、学院讨论的都是未来的5nm工艺、Ge、III-V金属材料、10nm、2.5D/3D封装、芯片内缓存等技术，无一不是探讨有可能改变未来半导体工艺发展的新技术、新材料。

目前国内在半导体工艺上发展最先进的还是28nm，其中高性能的28nm HKMG工艺也只才刚开始，比三星、Intel、TSMC要落后两三代。前年在比利时国王访华时，国内的中芯国际、华为与高通、SEMI签署了合作协议，在IMEC的帮助下开发14nm FinFET工艺，预计在2020年前量产。


考虑到我们在半导体工艺上落后这么多年了，想很快追上是不可能的，好在国家现在也重视起半导体产业了，核高基等项目已经作出了部署，前几天核高基项目负责人还表示取得了重大突破，14nm工艺将在明年量产，未来还会支持7nm、5nm工艺研发，希望这些表态不是放卫星。

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