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中芯长电半导体与高通联合宣布,中芯长电将开始进行高通的10nm晶圆凸块封装技术认证,有望成为中国大陆第一家拥有10纳米先进工艺技术节点产业链的半导体公司。通过认证后,将可以为其他半导体企业提供更先进的10nm晶圆封装,跻身全球先进半导体产业链企业之一。
说起中芯长电与高通之间的合作,就不得不提下中国半导体的领军企业中芯国际,它最初成立于2000年,并于2014年临危受命于中国政府,获得了高达300亿的半导体产业基金支持,试图用钱砸出拥有中国自己技术产权的半导体工艺技术,不过由于前期技术积累太少,技术要落后于台积电等国际一流企业。
为了快速缩短技术差距,中芯国际找到了当时被中国判处垄断罚金9.75亿美元的高通,而高通为了不放弃中国市场,便积极与中芯国际合作,最后中芯国际派出旗下与长电科技合作的中芯长电达成合作协议,组建了合资企业。这可是当时的大新闻,国家主席还出席了现场观礼。
中芯长电开启了生产代工晶圆之路,是全球首家采用集成电路前段芯片制造体系和标准,采用独立专业代工模式服务全球客户的中段硅片制造企业。以先进的12英寸凸块和再布线加工起步,主要提供中段硅片制造和测试服务,并进一步发展先进的三维系统集成芯片业务。
10nm工艺我们就听得到多了,就是从晶圆上刻画出电路的时使用的光刻光源波长,而这个10nm晶圆凸块封装技术又是什么呢?原来晶圆从晶圆厂中刻画好电路后,变成了一个个Die,这些Die还需要进一步加工,利用薄膜、光刻、电镀及蚀刻工序在Die上制作引脚,这种工艺技术称之为Bumping(凸块),一般常见于BGA封装IC上,此技术可大幅缩小IC的体积,并具有密度大、低感应、低成本、散热能力佳等优点。
在制程越来越小的情况下,Bumping的技术难度随之大幅提升,技术成本也高得多,封装厂很多的技术和设备也必须进行升级或者更新,在此情形下,加工成本也会随之上升。而中芯长电就是从14nm凸块生产过程中积累起经验后,于今年下半年正式研发出10nm晶圆凸块的封装技术。
Qualcomm Technologies QCT 全球运营高级副总裁陈若文博士表示:“我们祝贺中芯长电在28纳米和14纳米矽片凸块加工大规模量産方面取得突出成绩。此次10纳米超高密度凸块加工开始认证,表明中芯长电在中段凸块加工领域取得突破性进展,工艺技术水平达到了世界一流。中芯长电是最近几年来 Qualcomm Technologies 唯一新引入的中段矽片凸块加工制造供应商,我和团队非常高兴双方的合作能够不断取得突破。未来,10纳米凸块加工将进一步强化我们在中国半导体供应链産业的布局,体现了我们支持中国本土集成电路制造産业升级的承诺,也必将有助于我们更好地服务中国客户。” |
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