I$0)Px%z 假设mos管开通和关断损耗都是0,二极管正向时,压降为0,反压时,反向漏电流为0; 7|[mz> "d @ vrV*!
P:aJ# Cbst:自举电容,Nmos需要;LDO为了输入与输出的压差小,采用Nmos,门极需要比输入更高的电压。采用charge pump使得门极电压冲到比输入电压高两倍的驱动电压。 w$`5g *Ie7{EhJ'
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k 过去的BUCK小功率,为了驱动简单,上管也采用PMOS. ?Vdia:
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82QGS$0V Vds,温度降低,击穿电压变小。 x"{'&J[hx 5_z33,q2
!gv`FE9y 导通电阻正温度系数,适合并联工作;并联时,导通电阻小的,承担的功率大,会发热,导通电阻会增大,电流减小,跑到另外一边,最终达到动态热平衡。Rds(on)小,导通损耗小了,但是开关损耗变大了。 FZtfh ?}a;}Q6
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q# 只能测量壳温,然后通过热阻计算结温; cdZ~2vk A0q|J/T
E7Y`|nT 开通时,电阻Rg给电容Cgs充电,当达到门槛电压,mos管才会慢慢开通。给G极的驱动能力要好,才能快速控制mos管通断。但有时为了抑制浪涌电流,让mos管缓启动。 ZO)S`W /i-J&*6_
D*F4it. 整流管:利用了正向导通特性,斜率是二极管的内阻。理论方向截止为0,实际不为零,有的还挺大的。根据反向恢复和正向压降分为:普通二极管,方向耐压大1KV,2KV都有,正向压降也大,所以损耗会比较大,不适合用在高频工作下,反向恢复比较慢;超快恢复二极管,恢复时间很短,适合工作在高频状态,耐压也比较高。肖特基二极管,正向压降很低,正向通态损耗非常小,缺点是耐压低,200V以下,反向漏电流比较大,高温时的反向漏电流是常温的几十倍甚至上百倍。 ]5$eAYq 稳压管:利用二极管方向雪崩击穿的特性,而且是持续击穿的场景,低功率应用,用来作一个稳定的基准电压, a8i]]1Blz TVS:也是利用二极管方向雪崩击穿的特性,但是用在瞬间击穿,然后提供一个瞬间的高功率,通常放在输入端用来做浪涌抑制,或者钳位吸收电路上,用来吸收尖峰。 -!N&OZ+R
24 )(5!:"
U]vYV 整流桥 J<dVTxK12 <B6&I$Wc+
kLni{IYN7 50Hz,频率比较低,所以反向恢复损耗是可以忽略的。要承受400V以上的耐压,和没有负载时承受大的浪涌电流。 .72S o T P3nb2.
X'`~s}vGO 正向压降要很小,通常选用肖特基二极管。合路,当其中一路出现故障,短路,对另外一路和系统不会产生影响。 "gne_Ye. 后续介绍防反MOS和合路MOS去替代以上应用。因为MOS管的压降比较小,效率高很多。 IS#FiH :xh?eN&
bV$)!]V 电感量,电感的额定电流:流过电感是4A,留有余量;饱和电流:电感饱和,额定电感量会降低一定的百分比。Ipk小于饱和电流。DCR,铜线的阻抗损耗。低电感量,高饱和电流。 #P?6@\ Y))u&*RuT0
8rMX9qTO@ 负温度系数,温度越高,肖特基压降越低,电阻越小,并联时承受的功率越大,危险。 UF<uU-C" 1uH:12V输入,3.3V输出,3A,纹波为16mV; -sjd&)~S[ 4.7uH:纹波为6mV; LK, bO| 将电子负载设为动态模式,负载0.3A到3A的跳变,周期是1ms,上下变化斜率为2.5A/us; L.2/*H#
4.7uH时,峰峰值432mV; *WIj4G.d
}f8Uc+
J]G?Rc 1uH时,峰峰值50mV; A%D7bQ Z6_N$Z.A
-Gw$#! 温度对肖特基二极管反向漏电流的影响; _-9@qe 常温时反向接入12V到肖特基二极管BAT54A,串联一个10K电阻,测量电阻两端的电压来测量电流。 I{lT> go 测得电压为10mV,则电流为1uA; ni6{pK4Wqm 用热风枪吹时,电压飙到2V以上,则电流为200uA;上升了两百倍。 M\Z6$<H?U 温度对肖特基正向压降的影响: N\#MwLm 两个肖特基二极管并联,施加一个4A的恒流源;平均电流,其中一个二极管流过的电流为1.6A,窜入电流探头有一定的电感量,所以电流并不均等;给这个二极管加热升温,电流升到2A,是由于温度升高;同时正向压降慢慢降低从0.34V将到0.33V,说明温度升高,内阻减小——负温度系数。 1Lg-.-V
肖特基和MOSFET体二极管正向压降比较. B,K>rCZ/ 2A电流经过,肖特基二极管正向压降0.35V;MOS管体内二极管正向压降为0.65V。 ;zIP,PMM @H7Wb} 图文并茂:
基础元器件原理特性(下) ZP;j9T! p"FW&Q=PN |kvC
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{e[c $P(v{W) *r=:y{!Y d [ 此帖被xiaoxiaoxinba在2020-06-02 00:29重新编辑 ]