|
Everspin MR10Q010该存储器1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径,旨在提高读/写速度并减少时钟周期。具有用于Quad SPI操作的完整命令集,包括读写操作,其中在所有四个I/O上输入地址和数据以减少时钟周期。Everspin代理英尚微电子提供产品相关技术支持及应用解决方案。 1oKfy>i e {7MjP+\ Everspin MR10Q010四路SPI串行MRAM需要3.3v Vdd电源,并设计为可在1.8v总线I/O上运行。可以通过电平转换器将MR10Q010连接到总线,从而使MR10Q010适应在3.3v数据总线上运行。线性稳压器可用于提供MR10Q010所需的1.8v电源。 5(
_6+'0 PIXL6 用于MR10Q010 Quad SPI MRAM的I/O适配器板 gN {'UDg p
h[\) MR10Q010评估板使用德州仪器(TI)的TXB0108双向电平转换器和TPS73018低压降稳压器。该板的设计使其可以连接到当前由SPI或Quad SPI EEPROM占用的板位置或插座,并可以在现有系统中运行。所有MRAM和EEPROM引脚的测试点都位于板上。 1b9hE9a{j Z X~
_g@
0Aa`p3.) 用于评估在3.3vI/O数据总线系统中运行的MR10Q010。 $OVXk'cc 8引脚DIP站点,允许安装为子板以代替现有的8引脚SPI或Quad SPI EEPROM。 S-+M;@'Rl MR10Q010从板载稳压器获得1.8v电源。 TzBzEiANn 所有MR10Q010和E2PROM引脚均可通过0.1英寸间距的通孔连接点进行评估。 s/Xb^XjS1 可能随MR10Q010的ZIF插座一起提供,或者板上装有MRAM。 &L^CCi ^Y{D^\}, Everspin Quad Serial MRAM X bkb5EkA zhB ">j8j /HZumV? MR10Q010.pdf (2879 K) 下载次数:0 z<]bv7V 0@Kkl$O>mb
|