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VTI7064 64Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外围接口/四重外围接口）SRAM器件。该RAM可配置为1位输入和输出分离或4位I/O通用接口。设备本身会执行所有必要的刷新操作。 :*/ `"M)'
9;u&,R
VTI7064特征 IXef}%1N?
-SPI总线接口： Do 5)ilt
兼容SPI ]J7.d$7T
兼容SQI 8z
h{?0
所有模式的时钟频率均为20MHz Th)Z?\8zk
低功耗CMOS技术： W {(q7>g
读取电流：25mA .0>2j(
待机电流：典型值150uA .d>TU bR;
-无限的读写周期 u4a(AB>S
-8Mx8位组织和1KB页面大小 3R sbi
-高可靠性 |[}!E/7>b
-符合RoHS $kef_ *BQg
-8引脚SOIC封装 cRhu]fv()
-支持的温度范围： xMu[#\ Vc
扩展（E）：-25°C至+85°C %nfa U~IqK
工业（I）：-40°C至+85°C 9I; d>%
P[E5e+ A)
引脚说明 >3a<#s{%
+bw>9VmG
``Wf%~
8pin SOIC 1.5mil 5dE@ePO[/9
'dstAlt?
接口说明 $ kA'9Y
1、地址空间 EBX+fzjQo
所有设备都是字节可寻址的。64M设备用A[22：0]寻址。 Nf<mgOAT1
%cl=n!T
2、页长 BB694
读和写操作始终是线性地址空间。只要满足tCEM（max。），线性连发就可以跨越页面边界。 x$;I E
w+NdEE4H9z
3、驱动强度 [Grd?mc#
器件以50Ω上电。 fvDt_g9 oI
i0y^b5@MOb
4、开机状态 Pu=,L#+F N
器件在SPI模式下上电。开始任何操作之前，必须将CE＃设置为高。 Is $I;`
R>iRnrn:-
5、命令/地址锁存真相 '*~_!lE5
设备可以识别各种输入法指定的以下命令 + S^OzCGk
'51 8S"T @
j<-#a^ jb
备注：S=串行I/O，Q=四通道I/O。 ([r4N#lx
133（104）表示133Mhz@1.8V和104Mhz@3.3V。 T5g}z5~"
*84Mhz是允许跨页面边界访问的最大工作时钟频率。 +E Z Lic
2+7r Lf`l
6、命令终止 t0 1@h_ WS
所有所有读和写都必须由CE＃从低到高完成。CK＃的上升沿是终止已激活的读/写字线并将设备设置为待机状态的触发器，否则将阻止内部刷新操作，直到设备看到读/写字线已终止，无需执行命令终止操作仅适用于读取和写入操作以及任何命令操作，例如Enter Quad模式命令和Reset命令。 O "$uw
PE~umY]
关于VTI XvU^DE fW
Vilsion技术公司。是设计开发和销售用于汽车、通信、数字消费、工业，医疗和物联网的高性能集成电路的翘楚。主要产品是高速SRAM，Seiral SRAM和 低功耗SRAM。其市场和应用领域涉及数据持久性和可靠性以及完整性，低延迟和安全性至关重要。VTI代理英尚微电子支持提供驱动、例程以及必要的FAE支持。 0GtL6M@pP
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VTI7064型号表 [<+A?M=
.>Gnb2
 VTI7064LSMxx.pdf (1214 K) 下载次数:0 l$PSID
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更多详情点击该链接：https://www.sramsun.com/list-339-1.html a5/6DK>
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