据韩国媒体businesskorea报道，三星电子已撤换负责开发下一代芯片的半导体研发中心负责人，晶圆代工业务高层也遭洗牌，由存储专家带领晶圆代工事业核心部门。 89+Q^79m
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业界分析，在即将抢先量产 3 纳米之际，此前屡传三星先进制程良率不佳是最大的问题，此番大刀阔斧进行高层大洗牌，是为加速提升先进制程良率，以与台积电比拼。 i &',g
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消息称，三星电子已任命副总裁兼NAND 开发部门负责人 Song Jae-hyuk 为半导体研发中心的新负责人。Song因策划向垂直 NAND 闪存的转变和超级堆叠 NAND 闪存的开发而受到赞誉。 %DIZgPd\
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代工业务方面，指派半导体设备解决方案部门的全球制造与基础设施副总裁 Nam Seok-woo 兼任晶圆代工制造技术中心负责人。Nam 是三星电子最好的存储半导体工艺开发专家之一。 m0 [JiwPI
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内存制造技术中心副总裁Kim Hong-shik被任命领导代工技术创新团队。通过改组，公司调动了存储半导体专家领导代工业务的核心部门。 o3kVcX^
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此外，张成大副会长被任命为基础设施技术中心负责人，原基础设施技术中心负责人崔胜杰副会长调至全球环境安全与基础设施中心。据业内人士透露，此次人员数量据说超过20人，副总裁级高管有10人左右。 :}{,u6\
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由于三星电子通常在 12 月左右进行定期人事任命，据评估，此次高管变动颇为不寻常。业内人士解读，三星电子近期不断遭遇代工良率下降的问题，并已做出解决的决定。 K'u66%wAL
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“由于良率低和未能开发第五代 DRAM，三星电子遭受了代工客户的背叛。看来该公司正在寻求解决这些问题的办法。”一家投资公司的分析师表示。 ? ht;ZP
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同时，三星电子将负责内存技术开发的内存技术开发（TD）室分离为DRAM TD室和闪存TD室，专门负责技术开发能力。DRAM TD部门由Park Je-min副社长领导，Flash TD部门由Jang Jae-hoon副社长领导。 "4[8pZO/
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三星电子的代工业务面临重大考验。它计划最早在 6 月量产世界上第一个基于 GAA 的 3 纳米芯片。市场观察人士表示，如果该公司确保稳定的产量，它将能够改变全球代工市场的格局。 N2/t
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与此同时，三星电子副会长李在镕下周将前往荷兰出差，与英特尔和高通的首席执行官会面后。李的此行引发了人们的猜测，即该公司在进行大规模并购 (M&A) 交易方面取得了相当大的进展。 , HHCgN
