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来源： Digitimes 发布者：Digitimes $X \va?(
时间：2015年7月31日 16:26 ju|]Qlek !Xj #@e
美光(Micron)与英特尔(Intel)合作非挥发性存储器(NVM)新技术3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，业界传出该技术不仅将导入固态硬碟(SSD)，台系NAND Flash控制芯片业者慧荣更已加入3D XPoint计划，成为首家控制芯片供应商，2016年抢先导入SSD。不过，相关消息仍待慧荣正式对外宣布。 a+`D'?z
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存储器业者表示，包括美光和英特尔的IM Flash阵营对于3D XPoint技术并未揭露太多资讯，业界推测可能是一种称为可变电阻式存储器(ReRAM)的新式NVM，采用新材料提升NAND Flash速度及密度，并降低延迟，相对于磁电阻式随机存取存储器(MRAM)、变相式存储器(PCM)等新式存储器， 目前ReRAM技术较容易商用化，投入研发的半导体厂亦相当多。 gZO&r#
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尽管ReRAM商用化时程越来越近，但IM Flash阵营3D XPoint技术将在2016年导入终端产品量产，并应用在SSD领域，却令业者十分意外。存储器业者认为，3D XPoint技术应会先用于特殊型SSD应用领域，短期内还不会取代既有DRAM和NAND Flash芯片，且若是采用新材料，包括芯片稳定度、可靠度及良率等都需要再观察。 }# 1/fok
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值得注意的是，业界传出台系NAND Flash控制芯片业者慧荣已加入3D XPoint计划，将研发支援3D XPoint的控制芯片，瞄准特殊型SSD应用，以及需要高速读写的大型资料库储存、伺服器快取(caching)等应用。 Z^yNLF *&V
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存储器业者指出，近期慧荣与IM Flash阵营在NAND Flash技术研发已有重大突破，不仅与美光合作SATA III介面SSD控制芯片，更传出与英特尔合作PCI Express(PCIe)介面SSD控制芯片，预计2016年问世，正好赶上PCIe介面SSD跃上主流产品列车。 ` qUX.
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事实上，用来取代DRAM和NAND Flash芯片的新式存储器技术，包括架构及材料一直是各厂高度机密。目前DRAM技术发展到20纳米制程，三星率先进入量产，SK海力士及美光旗下华亚科2015年下半才会放量，业者原本认为20纳米是DRAM技术极限，但各厂都在研发1x纳米DRAM技术，由于制程技术更困难，投入金额更庞大，让业者感受到DRAM技术已濒临极限。 wi _'iv
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至于NAND Flash技术则已转进3D架构，东芝和新帝阵营宣布3D NAND技术进入48层堆叠，取代原本仅16层和32层堆叠的3D NAND技术，可储存更多资料，预计2016年上半送样给客户；至于三星电子亦预计2016年推出48层堆叠3D NAND技术。目前看来IM Flash阵营在新式存储器发展稍微领先，3D NAND技术阵营恐将被迫加速开发时程。 *bd[S0l
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