UnitedSiC扩展SiC JFET产品组合并发布第三代1200V和650V器件

gs853282537 · 发表于 2018-10-24 08:34:11

关键词：SiC JFET器件第3代1200V和650V碳化硅JFET 高压开关电源转换
时间：2018-10-23 10:19:19 来源：中电网

碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出第3代1200V和650V碳化硅JFET，扩展了现有的独特常开启型SiC JFET产品组合。

这些器件处于通常开启状态，采用零电压栅极驱动，因而特别适用于快速动作、固态断路器和电路保护等应用，这些应用中，通常在没有栅极电源的情况下需要默认为导通状态。这些器件还可与Si-MOSFET串联使用，形成强大的“超级共源共栅”，具有宽带隙技术的所有优势，能提供极高的工作电压，并易于栅极驱动。新器件还可用于电子负载、无线充电同步整流和低功率反激式转换器中的电源开关，其中采用共源共栅配置的JFET可确保易于启动。新器件所面向的市场包括铁路、电动飞行器和电动牵引中的电路保护，以及高压开关电源转换等等。

SiC JFET器件能提供极佳的R[sub]DSA[/sub]品质因数（基于晶片面积归一化的导通电阻），在电路保护应用中具有低插入损耗。由于R[sub]DSON[/sub]的正温度系数和较为平坦的栅极阈值电压对温度曲线，这些部件可以很容易并联使用。在以“线性”模式工作时，SiC JFET表现出宽的安全工作区（SOA），而没有其他技术容易受到的电流拥挤效应和潺流效应(current filament)等影响，使得它们特别适用于电子负载和电流限制器。SiC JFET中不存在栅极氧化物，因而也增强了抗辐射能力和总体的牢固性等附加优势。

这些器件的制造采用了UnitedSiC专有的6英寸晶圆工艺，其中包括先进的晶圆减薄（wafer-thinning）和晶片粘接（die-attach）技术，具有出色的结至外壳热阻。

新发布的第三代器件编号为UJ3N120070K3S（1200V/70mΩ）、UJ3N120035K3S（1200V/35mΩ）、UJ3N0650080K3S（650V/80mΩ）和UJ3N065025K3S（650V/25mΩ）。所有这些可选器件均采用方便的TO-247-3L封装。

UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla表示：“当您需要常通、超级牢固的器件时，UnitedSiC的SiC JFET可提供无与伦比的系统价值。随着电力电子技术的不断发展，对电路保护的需求也在不断增长。动作非常快速的断路器可以简化轨道牵引、船舶和越来越多的电动飞行器等电源电路设计，而且在这些类型应用中，SiC JFET也是最简单、最高效的限流方案。”

价格和供货信息

UnitedSiC的第三代SiC JFET器件以批量1000件计，起价为每片5.00美元，可在贸泽电子和其他当地分销商处购买。