ZT: 大复活, 力晶砸百亿提升制程 - 电工杂谈 - 电子工程师俱

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2010-03-10 工商时报【记者李淑惠／台北报导】
  力晶通过今年度的资本支出计画，预计在转入40奈米制程之下，2010年度的资本支出将达100亿元至110亿元，与去年度几乎没有资本支出相较，呈现巨幅成长。如果加上力晶转投资瑞晶的资本支出120亿元，以及尔必达（Elpida）的600亿日圆（212亿元），泛尔必达联盟2010年资本出合计432亿元，攀上近年高峰。

  DRAM厂今年没有新厂加入营运，在微软Win7带动的换机潮涌现，以及美商苹果相继推出新产品之下，今年DRAM供给有限成为市场共识，大厂沉寂已久的资本支出计画也相继浮现。

  力晶董事会昨（9）日通过2010年的资本支出计画，力晶表示，资本支出规模落在100亿元至110亿元，主要还是用在转进40奈米制程，去年度则因为上半年景气仍旧不佳，几乎没有资本支出。

  力晶去年股东会时已经事先通过12亿股额度之内，办理现金增资，力晶有意在今年上半年完成该笔现增，对改善财务结构、每股净值有相当程度帮助，惟力晶目前股本已高达873亿元，若以现增方式筹资，恐有股本膨胀之嫌。

  今年国内外的DRAM厂都有大幅度的资本支出，除力晶、瑞晶已经公布之外，南科原定今年资本支出为190亿元，然因南科规划将12吋厂产能从3.6万片增至5万片，产能增幅高达39％，因此今年度的资本支出可望超越200亿元大关；同一集团的华亚科因提前导入42奈米制程，今年度的资本支出也从450亿元上修至520亿元，资本支出规模高居国内DRAM厂之冠。

  从厂商在资本支出的规画上来看，今年有相当程度的资本支出投入40奈米，力晶、瑞晶以45奈米为主，而南科、华亚科则提前一季导入42奈米，显见景气好转不仅让厂商恢复生机，也让国内DRAM厂的40奈米竞争白热化。