采用PQFN封装的20V、25V及30V MOSFET（IR） - 工业/测控 - 电子工

2dmin

国际整流器公司 (IR) 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。

这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术，是该公司首批采用5x6mm PQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可实现业界领先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高仅为1.2mΩ，显著降低了手工工具等直流电机驱动应用的传导损耗。


<ignore_js_op>





2010-3-11 13:28:39 上传
<strong>下载附件</strong> (35.19 KB)




</ignore_js_op>


25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是专为DC开关应用设计的，例如需要高电流承载能力和高效率的有源ORing和直流电机驱动应用。IRFH5250TRPbF具有极低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且栅极电荷 (Qg) 仅为52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4mΩ，Qg 达到了 50nC。

如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不仅能够实现卓越的热性能，还可以根据给定的功率损耗要求，比现有解决方案使用更少的元件，节省电路板空间及成本。

所有这些新器件均具有低热阻 (<0.5°C/W)，并达到一级湿敏 (MSL1) 工业合格水平，也不含铅、溴化物和卤素，且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

<strong>IRFH6200TRPbF</strong><strong>产品规格</strong>

<strong>器件编号</strong>
<strong>封装</strong>
<strong>电压</strong>
<strong>最大</strong><strong>Vgs</strong>
<strong>Rdson max @Vgs=4.5</strong>
<strong>Rdson max @Vgs=2.5</strong>
<strong>Id @ Tc=25</strong>
IRFH6200TRPbF
PQFN 5x6mm
20 V
±12V
1.2 mΩ
1.4 mΩ
100 A
<strong>IRFH5250TRPbF</strong><strong>和</strong><strong>IRFH53xxTRPbF</strong><strong>产品规格</strong><strong></strong>

<strong>器件编号</strong>
<strong>封装</strong>
<strong>电压</strong>
<strong>Rdson max @Vgs=10</strong>
<strong>Rdson max @Vgs=4.5</strong>
<strong>Qg typ @Vgs=4.5</strong>
<strong>Id @ Tc=25</strong>
IRFH5250TRPbF
PQFN 5x6mm
25 V
1.15 mΩ
1.7 mΩ
52 nC
100 A
IRFH5300TRPbF
PQFN 5x6mm
30 V
1.4 mΩ
2.1 mΩ
50 nC
100 A
IRFH5301TRPbF
PQFN 5x6mm
30 V
1.85 mΩ
2.9 mΩ
37 nC
100 A
IRFH5302TRPbF
PQFN 5x6mm
30 V
2.1 mΩ
3.5 mΩ
29 nC
100 A