高效的高频DC-DC开关应用DirectFET 芯片组（IR） - 电源技术 -

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国际整流器公司 (IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组，为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率。


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2010-4-14 15:54:58 上传
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IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片组不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技术，还具有业界领先的性能指数 (FOM) 及 DirectFET 封装卓越的开关和热特性，成为一个为高频率 DC-DC 开关应用而优化的解决方案。

IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封装提供低于1 mΩ 的导通电阻，使整个负载范围可保持极高的效率。新器件配有单片集成式肖特基二极管，能够减少与体二极管传导相关的损耗，并能实现反向恢复损耗，进一步提高解决方案的整体性能。IRF6798MPbF 还提供仅为 0.25 mΩ 的极低栅极电阻，避免了与 Cdv/dt 相关的击穿。

IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具备低电荷和低导通电阻，可减少开关损耗及传导损耗，还可为快速开关提供极低的栅极电阻。


<strong>器件编号</strong><strong></strong>

<strong>BVDSS (V)</strong><strong></strong>

<strong>10V </strong><strong>下</strong><strong>的典型</strong><strong>导通电阻</strong><strong>(m</strong>Ω<strong>)</strong>

<strong>4.5V </strong><strong>下的典型</strong><strong>导通电阻</strong><strong> (m</strong>Ω<strong>)</strong>

<strong>VGS (V)</strong><strong></strong>

<strong>TA </strong><strong>为</strong><strong>25ºC</strong><strong>时的</strong><strong> I</strong><strong>D</strong><strong> (A)</strong><strong></strong>

<strong>典型</strong><strong>QG (nC)</strong><strong></strong>

<strong>典型</strong><strong>QGD (nC)</strong><strong></strong>

<strong>外形代码</strong><strong></strong>

IRF6798MPBF

25
0.915

1.6

+/-20

37

50

16

MX

IRF6706S2PBF

25

3.2

5.3

+/-20

17

12

4.2

S1