ZT: 华虹NEC两项新技术荣获创新产品和技术奖 - 电工杂谈 -

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  2010/4/15/10:19来源：电子工程专辑   2010年中国半导体市场年会于2010年3月9日至10日在上海召开。大会公布了由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备
工业协会、中国电子报等单位共同评选出的“第四届（2009年度）中国半导体创新产品和技术”获奖结果，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）的“0.13微米SONOS嵌入式存储器工艺技术”和“芯片超级同测技术（SCT）”两个项目分获殊荣。  
华虹NEC的0.13微米SONOS嵌入式存储器工艺技术具有低动态电流，极低静态电流，存储单元小，容量可配置，读出速度快等优良性能。达到业内领先的可靠性擦写寿命和数据保持时间。目前该技术平台拥有各种容量的嵌入式闪存IP，齐全的模拟IP，高速静态随机存储器和低功耗设计库，高性能的IO单元以及完善的产品和测试方案，可广泛应用于智能卡、MCU/SOC以及USBKey等产品。  
华虹NEC成功地研发出世界领先的芯片同测数最高可达512的“超级同测技术(SCT，SuperConcurrentTesting)”。此技术的研发成功，有效地降低了晶圆测试成本，提升了测试效率和产品的竞争力，实现了最高可达较原有技术平台的八倍测试效率，并可支持芯片高集成的晶圆测试，成为当今世界领先的测试技术平台。此测试平台现已成功应用，作为华虹NEC制造服务的拓展。此创新技术为国内主要集成电路设计公司的自主产品（智能卡、USBKey、可编程MCU等）提供了最优化的测试方案。  
华虹NEC总裁兼首席执行官邱慈云博士表示，“我们十分荣幸在中国半导体创新产品和技术评选中荣获两个奖项，这是华虹NEC持续创新的结果。华虹NEC一直保持着嵌入式非挥发性存储器技术领域的业界领先地位，也是中国智能卡与SIM卡芯片的最主要的制造商。本次获奖的两个项目正是华虹NEC过去几年来在嵌入式非挥发性存储器领域的最新成果，为下一代智能卡芯片提供了极具竞争力的全套工艺、设计支持与量产测试解决方案。”