超紧凑、薄型封装的高性能MOSFET（飞兆） - 电源技术 - 电子

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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求，推出采用超紧凑、薄型(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列。

设计人员使用这一行业领先的产品系列，能够挑选最适合其应用和设计需求的MicroFET MOSFET产品。新的产品系列备有数种常用的拓扑选择，包括单P沟道和肖特基二极管组合，单N沟道和肖特基二极管组合、双P沟道、双N沟道、互补对(complementary pair)、单N沟道和单P沟道器件。


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2010-5-7 14:31:07 上传
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这些MicroFET MOSFET采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET工艺技术，能够实现非常低的RDS(ON)、总体栅极电荷(QG) 和米勒电荷(QGD)，从而获得出色的传导和开关性能及热效率。相比传统的MOSFET封装，其先进的MicroFET封装提供了出色的功耗和传导损耗特性。

飞兆半导体提供业界最广泛的具有增强热性能的超紧凑薄型1.6mm x 1.6mm 和2mm x 2mm MicroFET器件。这些易于使用、节省空间的高性能MOSFET是便携应用的理想选择。

<strong>产品编号</strong><strong></strong>
<strong>封装</strong><strong></strong>
<strong>拓扑</strong><strong></strong>
<strong>典型便携应用</strong><strong></strong>
<strong>单价</strong><strong> (</strong><strong>订购</strong><strong>1000</strong><strong>个</strong><strong>)</strong><strong></strong>
<strong>FDME1023PZT</strong>

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

双P沟道

电池充电

0.35美元
<strong>FDME1034CZT</strong>

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

互补对(Complementary Pair)

DC-DC转换、带有电平转移的负载开关

0.35美元
<strong>FDFME2P823ZT</strong>

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

单P沟道 +
肖特基二极管

电池充电

0.34美元
<strong>FDFME3N311ZT</strong>

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

单N沟道 + 肖特基二极管

升压开关

0.34美元
<strong>FDME1024NZT</strong>

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

双N沟道

DC-DC转换、基带开关

0.35美元
<strong>FDME510PZT</strong>

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

单P沟道

负载开关、电池开关

0.33美元
<strong>FDME410NZT</strong>

MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm

单N沟道

负载开关

0.33美元

供货：现提供样品。交货期：收到订单后12周

产品的 PDF 格式数据表可从此网址获取：
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1023PZT.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1034CZT.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFME2P823ZT.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFME3N311ZT.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1024NZT.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME410NZT.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME510PZT.pdf