IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的中压功率MOSFET产品 - 电源

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国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。

新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。

所有器件都具有低热阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 标准，所采用的环保材料既不含铅、溴或卤，也符合有害物质管制指令 (RoHS) 。

产品基本规格

器件编号封装电压电流导通电阻栅极电荷类型栅极IRFH5004TRPBFPQFN 5x6mm40 V100A2.6 mOhm73 nC标准IRFH5006TRPBFPQFN 5x6mm60 V100A4.1 mOhm67 nC标准IRFH5106TRPBFPQFN 5x6mm60 V100A5.6 mOhm50nC标准IRFH5206TRPBFPQFN 5x6mm60 V98A6.7 mOhm40 nC标准IRFH5406TRPBFPQFN 5x6mm60 V40A14.4 mOhm23 nC标准IRFH5007TRPBFPQFN 5x6mm75 V100A5.9 mOhm65 nC标准IRFH5207TRPBFPQFN 5x6mm75 V71A9.6 mOhm39 nC标准IRFH5010TRPBFPQFN 5x6mm100 V100A9.0 mOhm65 nC标准IRFH5110TRPBFPQFN 5x6mm100 V63A12.4 mOhm48 nC标准IRFH5210TRPBFPQFN 5x6mm100 V55A14.9 mOhm39 nC标准IRFH5015TRPBFPQFN 5x6mm150 V56A31 mOhm33 nC标准IRFH5020TRPBFPQFN 5x6mm200 V41A59 mOhm36 nC标准IRLH5034TRPBFPQFN 5x6mm40 V100A最大2.4 mOhm 43 nC逻辑电平IRLH5036TRPBFPQFN 5x6mm60 V100A最大4.4 mOhm 44 nC逻辑电平IRLH5030TRPBFPQFN 5x6mm100 V100A最大9.0 mOhm 44 nC逻辑电平

新器件现已接受订单，数据表和应用说明已刊登于 IR 的网站 http://www.irf.com。