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[供应] PW2337芯片P沟道增强型MOSFET

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发表于 2020-12-8 13:33:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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一般说明
PW2337采用先进的沟道技术,提供优秀的RDSON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。

特征
VDS=-100VID=-0.9A
RDS(开)<650mΩ@VGS=-10V
提供3SOT23-3封装

应用
电池保护
负荷开关
不间断电源
2337.jpg 23371.jpg

代理商:深圳市夸克微科技
郑生: 13528458039

QQ : 2867714804


干电池升压IC.jpg
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