群联发布U17／U18桥接和E21T入门级NVMe SSD主控

似水流年

群联发布U17／U18桥接和E21T入门级NVMe SSD主控



CES 2021 消费电子展期间，群联（Phison）发布了自家 SSD 主控产品线的例行更新。除了 U17 / U18 这两款支持 USB 3.2 的移动硬盘桥接芯片，还有 E21T 这款入门级 NVMe SSD 主控。显然，群联希望通过该系列主控新品，为固态硬盘制造商提供极具竞争力的解决方案。与此同时，该公司还计划在今年晚些时候推出新款入门级无 DRAM 缓存的 NVMe SSD 主控。

首先介绍面向移动固态硬盘市场的 U17 主控，其支持 10Gbps 的 USB 3.2 Gen 2 主机接口，以及运行速度高达 1200 MT/s 的双通道 NAND 闪存。
然后是功能翻倍的 U18 主控，其支持 20Gbps 的 USB 3.2 Gen 2×2 主机接口、四通道 NAND 闪存、以及 TCG Opal 加密方案。

尽管性能较 NVMe + USB 桥接方案略逊一筹，但其对于移动固态硬盘市场已经相当足够，此外具有能效、成本、以及体型方面的显著优势。
群联计划本月晚些时候完成 U17 / U18 这两款主控的检定工作，之后将很快向下游厂商公布参考设计方案和性能预览，零售产品则有望于未来几个月内亮相。

接着是 E21T，作为一款入门级 NVMe SSD 主控，其制程从 28nm 升级到了 12nm、采用了无 DRAM 缓存的设计，旨在接任此前的 E19T 主控（在零售消费类 SSD 产品中使用甚少 / 但 OEM 需求相当强劲）。
与 E19T 相比，E21T 的性能和功耗表现均有大约 25% 的提升。但基本架构没有太大的变化，依然是单个 ARM 内核 + 群联专有的协处理器方案，支持 4 通道 NAND 闪存管理。

群联计划今年 6 月开始向客户提供 E21T 主控样品，并于 4 季度开始量产，届时我们有望见到大量流行的笔记本 OEM 产品升级到 PCIe 4.0 NVMe SSD 。
大多数产品或许会搭配 QLC 闪存，比如美光的 176 层 3D NAND，且无 DRAM 缓存的设计可将 PCIe 4.0 NVMe SSD 的成本整体制造成本进一步拉低。

对于少数已开始交付 8TB QLC SSD 的厂家来说，4TB 或许是当前一个比较尴尬的限制。市售 8TB M.2 SSD 大多采用了群联 E12 主控方案，但新款 PCIe 4.0 主控产品线缺少像 E12S 这样的小型封装的衍生版本。
AnandTech 预计，后续 8TB PCIe 4.0 SSD 或需要在每颗闪存中堆叠 16 组，才能突破 NAND 的封装极限、为 E16 / E18 主控和 DRAM 缓存留下足够的 PCB 空间。
高端 NVMe SSD 主控方面，群联的 E18 已于 2020 下半年开始出货。公司称其为迄今为止唯一读写速度达到 7 GB/s 以上的产品，并且计划让它站好旗舰 PCIe 4.0 主控的最后一班岗。
在这之后，群联将把重心放到 PCIe 5.0 上，因而 E18 可能在旗舰 PCIe 4.0 主控市场持续征战两年，辅以固件等方面的更精细优化。
至于更早的 E13T 主控，其早已在低成本、低功耗的入门级 NVMe 市场得到了广泛的应用。尤其是与 BGA SSD 产品线的集成，使之特别适合搭配 Chromebook 上网本、平板电脑、以及某些智能机的 eMMC 闪存使用。

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