D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高的开关速度,通过开尔文(Kelvin)源极连接改善了栅极驱动器的回路性能,并具有业界领先的散热能力。通过利用银烧结技术(Ag Sintering),可以在常规PCB以及复杂的绝缘金属基板(IMS)上完成管芯贴附。此外,它们具有出色的爬电距离(6.7mm)和电气间隙能力(6.1mm),这意味着即使在更高电压下也可以确保最高的操作安全性。
MOSFET
5月25日,Vishay推出多功能新型30Vn沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——SiSS52DN,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。该器件采用热增强型3.3mm x 3.3mm PowerPAK® 1212-8S封装,10V条件下导通电阻仅为0.95mW,比上一代产品低5%。此外,4.5V条件下器件导通电阻为1.5mW,而4.5V条件下导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为29.8mW*nC。