将SiC晶圆掌握在自己手里，安森美拟4亿美元收购GTAT

shuszhao

8月25日，智能电源和传感技术的供应商安森美半导体（Onsemi）宣布收购碳化硅(SiC)供应商GT Advanced Technologies(以下简称“GTAT”)，交易金额为4.15亿美元。该交易已获得安森美半导体和GTAT董事会的一致批准，预计将于2022年上半年完成，不过还取决于监管部门的批准和其他惯例成交条件。

SiC是第三代半导体的关键材料，可显着提高电动车（EV）、电动车充电和能源基础设施的系统效率。近年来以SiC和GaN为首的宽禁带半导体逐步颠覆功率器件市场，根据Omdia的预测，功率分立器件市场规模2024年增长至172亿美元，相比2020年增长近18%。而宽禁带器件则会由2020年5%的市场占比增长到2024年的大约17%。

广告

据悉，GTAT成立于1994年，在SiC等晶体生长领域具有丰富的经验。安森美半导体在与GTAT达成交易之前，大部分用于SiC芯片中的晶圆都是从外部供应商采购的。上述交易将能让安森美半导体扩增SiC货源，并满足客户不断增长的对可持续生态系统中基于SiC的解决方案的需求，包括电动车、电动车充电和能源基础设施。
此外，安森美半导体还计划投资扩大GTAT的研发工作，以推进150mm和200mm SiC晶体生长技术，同时还投资更广泛的SiC供应链，包括晶圆厂 (Fab)产能和封装。
此次交易是安森美半导体进一步打入电动汽车领域的重大举措。

安森美半导体总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury表示：“此次交易展示了我们对碳化硅解决方案进行投资的信心和承诺，不断支持智能电源和传感技术创新，从而助力建立可持续的未来。我们致力于强化我们在汽车领域的主导地位，并不断深化在汽车和工业领域的技术创新。而GTAT在开发可用于晶圆加工的碳化硅方面具有卓越的技术和专业知识。因此我们计划加速并扩展这些技术，从而更好地为快速增长的终端客户提供支持。我们期待GTAT才华横溢的员工加入安森美团队，共同推动创新。”
GTAT总裁兼首席执行官Greg Knight表示：“此次收购标志着GTAT新篇章的开始，也证明了我们团队的价值。安森美可以扩大我们的能力，并提供资源和平台，从而最大限度地发挥我们前沿生产技术的潜力，并确保我们始终保持在先进晶体生长相关技术的领先地位。”
此次收购还加强了安森美对颠覆性、高增长技术进行重大投资的承诺，这与公司最近在其财务分析师日宣布的2025年目标财务模型相一致。正如安森美之前所说，由于公司投资以推动差异化和领先地位，包括在SiC领域的投资，预计2022年和2023年的资本支出将占收入的12%左右。预计该交易不会影响公司2025年的目标财务模型。
安森美打算用手头的现金和现有的循环信贷为这项交易提供资金。公司预计该交易将在短期内略微稀释其非 GAAP 每股收益，并在交易完成后一年内增益。
截止发稿，安森美半导体盘前跌1.75%，报43.51美元。


巨头纷纷入局SiC

就在不久前，富士康宣布以9000多万美元收购旺宏旗下的一家200mm晶圆制造厂，富士康董事长刘扬伟表示，收购完成后，“鸿海将用来开发与生产第三代半导体，特别是电动车使用的碳化硅（SiC）功率元件，这将是我们在3+3策略中，整合EV与半导体发展的重要里程碑。”
数据显示，目前全球SiC硅晶圆总年产能约在40-60万片，而且同时期的硅晶圆已经由200mm向300mm进发，但碳化硅晶圆的主流尺寸还是150mm，每片晶圆能制造的芯片数量不大，远不能满足下游需求。
当前以SiC为代表的第三代半导体现在正从150mm转至200mm工艺，富士康布局时间点上恰逢其时。除了富士康，传统的SiC大厂们也早已行动起来：

国内外主流SiC大厂扩产计划
厂商	事件
科锐	2019年宣布计划2019-2024年投资7.2亿美元，将SiC材料及晶圆产能扩充30倍。包括建造一座车规级200mm功率及射频晶圆工厂，以及扩产超级材料工厂。计划2024年200mm SiC晶圆工厂规划达产； 2020年宣布未来5年投资10亿美元，扩展SiC衬底生产线
罗姆	2021年1月其筑后工厂新厂房竣工，预计2022年投产，以满足电动车等用途SiC电源控制芯片产能。计划到2025年投资850亿日元，预计届时产能将提升16倍
英飞凌	与GT Advanced Technologies在2020年签订SiC晶棒约5年期供货合同；与昭和电工在2021年先后签订SiC晶棒2年期供货合同
高意集团（Ⅱ-Ⅵ）	2020年宣布计划将150mm SiC材料的产能扩大5-10倍，同时扩大差异化200mm材料技术的批量生产，以满足未来5年的预期需求
比亚迪	此前宣布将在2023年全方位采用SiC替代，预计在2025年全面用SiC取代硅基IGBT
博世集团	2020年开始在德国生产专门用于电动汽车的新一代SiC芯片
斯达半导	今年3月宣布，拟非公开发行股票募资不超过35亿元，其中20亿元用于高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目
天科合达	正在新建一条400台/套SiC单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的SiC衬底生产线。2020年8月开工，计划2022年初投产
山东天岳	子公司上海天岳将于2021年7月下旬开工建设临港SiC半导体材料项目，预计投产日期为2022年，达产日期为2026年6月
露笑科技	其合肥SiC工厂一期预计在今年9月实现150mm SiC衬底片的小批量试产
三安光电	湖南三安半导体基地一期项目今年6月正式投产，可与产3万片150mm SiC晶圆

据不完全统计，未来2-5年内碳化硅产能仍将继续增加（数据自《科创板日报》、芯思想）
虽然在SiC市场上，IDM（集成器件制造商）占据主导地位，SiC代工公司也不甘落后，希望能够复制成功的硅代工厂的模式。德国X-Fab、英国Clas-SiC（150mm）、韩国YES POWERTECHNIX（YPT）以及中国台湾的汉磊（Episil）、厦门三安（SANAN）、芜湖启迪（TUS SEMI）都希望从中分到一杯羹。

a6682100

  

罗塘阮经天

好多收购

heming2216