富士通新型Quad SPI接口8Mbit Quad SPI FRAM MB85RQ8MLX

英尚微电子 · 发表于 2022-2-17 17:08:14

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铁电随机存取存储器是一种使用铁电文件作为存储数据的电容器的存储器。即使断电也能保留内容。结合了ROM和RAM的优点，具有快速写入速度、低功耗和高读/写周期耐久性。也称为FeRAM。

FRAM

铁电存储器是一款非易失性存储器产品，与传统的非易失性存储器相比，具有写入速度快、读/写耐久性高、功耗低等优点。

近日富士通半导体推出配备Quad SPI接口的8Mbit FRAM MB85RQ8MLX，其密度堪称Fujitsu SPI接口FRAM产品系列之最。

富士通

MB85RQ8MLX是一款容量为8Mbit的非易失性铁电存储器，该产品可在1.7V至1.95V的低电源电压下工作。这种新的Quad SPI接口FRAM通过四个I/O引脚和108MHz的工作频率实现了54MB/s的数据读取/写入速度。它比运行在50MHz的其他SPI接口FRAM产品快8倍以上，后者以6.25MB/s的速度传输数据。

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这款新产品在高达105℃的高温环境中以最高108MHz的工作频率实现了每秒54MB的快速数据传输速率，同时具有高速运行和非易失性，非常适合高性能计算(HPC)、数据中心和工业计算，如可编程逻辑控制器(PLC)、人机界面(HMI)和RAID控制器。

MB85RQ8MLX将工作温度范围的上限从一般产品的85℃扩展到了105℃，在工业计算中，由于高速数据处理导致计算单元中的环境温度升高，因此需要保证电子元件在高温环境中运行。MB85RQ8MLX满足了工业使用中的关键要求。

铁电存储器FRAMMB85RQ8MLX不需要任何数据备份电池，并为使用低功耗

SRAM

作为缓冲器的客户带来无需电池的计算成本优势。

富士通半导体存储器解决方案专注于高品质和高可靠性的非易失性存储器，如铁电随机存取存储器 (FRAM) 和电阻式随机存取存储器 (ReRAM)。这是一种高质量和高可靠性的非易失性存储器。即使在电源关闭时也能保留存储的数据，并且可以随机访问。FRAM具有独特的功能，包括更高的写入速度、更大的读/写循环耐久性和更低的功耗。FRAM用于广泛的应用，例如IC卡、RFID标签.